[发明专利]显示基板及其制备方法、显示面板在审
| 申请号: | 202010118539.2 | 申请日: | 2020-02-26 |
| 公开(公告)号: | CN111312924A | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
| 发明(设计)人: | 文官印;樊星;吴海东;李彦松;杜小波 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 李迎亚;姜春咸 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 面板 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括:
基底;
设置于所述基底上的多个第一显示单元和第二显示单元;
所述第一显示单元用于发出沿第一方向传播的光;所述第二显示单元用于发出沿第二方向传播的光;所述第一方向与所述第二方向相反。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一显示单元包括OLED显示器件,和设置于所述OLED显示器件靠近所述基底一侧的第一反射图案;
所述第二显示单元包括OLED显示器件,和设置于所述OLED显示器件背离所述基底一侧的第二反射图案。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第一显示单元还包括位于所述OLED显示器件背离所述基底一侧的反射材料抑制图案;所述反射材料抑制图案所在层位于所述第二反射图案所在层靠近所述基底的一侧,且与所述第二反射图案所在层相邻;所述反射材料抑制图案用于抑制第二反射图案的材料在所述基底上成膜。
4.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,第二反射图案的材料包括反射金属。
5.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第二反射图案的材料包括金属镁;
所述反射材料抑制图案的材料包括:聚四氟乙烯(PTFE)、硅或基于硅酮的聚合物,3-(4-联苯)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、双(2-甲基-8-羟基喹啉对羟基(quninolinato))-4-联苯酚铝(III)(BAlq)、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑(LG201)、8-羟基喹啉锂(Liq)、N(联苯-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺(HT211)中的至少一者。
6.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,第二反射图案的厚度包括500埃-1000埃。
7.根据权利要求的1所述的显示基板,其特征在于,所述基底包括柔性基底。
8.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
在基底上形成第一反射图案;
在形成有第一反射图案的基底上形成多个OLED显示器件;
在形成有所述OLED显示器件的基底上形成第二反射图案;
其中,部分所述OLED显示器件与所述第一反射图案对应设置,部分所述OLED器件与所述第二反射图案对应设置。
9.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法,其特征在于,在形成所述第二反射图案之前,还包括:
通过第一预设工艺在形成有OLED显示器件的基底上形成反射材料抑制图案,所述反射材料抑制图案位于对应所述第一反射图案的位置;所述反射材料抑制图案用于抑制第一反射图案的材料在所述基底上成膜;
形成所述第二反射图案的步骤包括:通过成膜工艺在形成有反射材料抑制图案的基底上形成反射材料层,以形成第一反射图案。
10.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1至7中任意一项所述的显示基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





