[发明专利]一种单晶断苞后自动回熔时回熔状态判定的工艺在审
| 申请号： | 202010116915.4 | 申请日： | 2020-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN113373510A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 赵国伟;徐强;高润飞;王林;谷守伟;王建平;周泽;杨志;吴树飞;刘振宇;刘学;刘有益;皇甫亚楠;杨瑞峰;郭志荣 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单晶断苞后 自动 回熔时回熔 状态 判定 工艺 | ||
1.一种单晶断苞后自动回熔时回熔状态判定的工艺，其特征在于：在单晶断苞后自动阶段下降进行回熔单晶回熔时，在每一阶段中，测量所述回熔单晶的初始重量，并将该回熔单晶下降一定距离至所述硅溶液液面下，在预设的回熔时间内进行回熔，当达到所述回熔时间后，进行所述回熔单晶是否回熔完的判定，
若所述硅溶液内的回熔单晶回熔完，进行下一阶段下降回熔单晶回熔；否则，进行回熔状态判定。
2.根据权利要求1所述的单晶断苞后自动回熔时回熔状态判定的工艺，其特征在于：所述回熔单晶是否回熔完的判定为：在所述回熔时间内，所述硅溶液液面接触电压是否发生改变，若接触电压发生改变，则判定所述回熔单晶回熔完；否则，判定所述回熔单晶未回熔完。
3.根据权利要求1或2所述的单晶断苞后自动回熔时回熔状态判定的工艺，其特征在于：所述回熔状态的判定包括以下步骤：
S1：当达到预设的回熔时间后，将所述回熔单晶提升至下降之前的位置，并测量所述回熔单晶的重量；
S2：对该阶段的回熔单晶的初始重量和回熔后的重量进行差值计算，若该差值小于标准差值，则进行下一阶段的回熔单晶的回熔；否则，进行步骤S203；
S3：以该阶段下降距离下降所述回熔单晶，并在预设的回熔时间内进行回熔，当达到所述回熔时间后，进行所述硅溶液内的回熔单晶是否回熔完的判定，
若所述硅溶液内的回熔单晶回熔完，进行下一阶段下降回熔单晶回熔；否则，进行步骤S1。
4.根据权利要求3所述的单晶断苞后自动回熔时回熔状态判定的工艺，其特征在于：所述标准差值为3-5kg。
5.根据权利要求4所述的单晶断苞后自动回熔时回熔状态判定的工艺，其特征在于：所述回熔时间为13-15min。
6.根据权利要求4或5所述的单晶断苞后自动回熔时回熔状态判定的工艺，其特征在于：所述测量回熔单晶初始重量的装置与所述测量回熔单晶回熔后的重量装置均为传感器。
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