[发明专利]一种防断箔的后处理单体机、生产工艺、控制方法、控制系统

权利要求书

1.一种防断箔生产工艺，采用后处理单体机，其中，后处理单体机为一种防断箔的后处理单体机，包括：放卷辊、测厚仪组件、控制系统、收卷辊、至少1个以上的处理槽；所述测厚仪组件至少包括：4个测厚仪，其中4个测厚仪分别两两布置在铜箔横幅的两侧，且4个测厚仪与铜箔的前进方向垂直；分布在铜箔一侧的两个测厚仪用于测量边部以及邻近边部区域的铜箔厚度；所述测厚仪组件用于检测铜箔边部与邻近边部区域的差值；所述测厚仪组件与所述控制系统连接；所述控制系统与后处理驱动电机组件连接，根据测厚仪组件的结果来决定是否调节后处理单体机的铜箔的运行速度；所述测厚仪组件设置在放卷辊与第一个处理槽之间；

其特征在于，包括以下步骤：

第一，至少4个测厚仪实时测量铜箔的厚度，且将测得的铜箔的厚度数据实时传递给控制系统；

第二，控制系统进行计算得到：左边部面密度最大差值、右边部面密度最大差值，对后处理驱动电机组件进行控制：

当：1g/㎡≥左边部面密度最大差值或右边部面密度最大差值时，后处理单体机的运行速度不变，按照预设速度V₀运行；

当：1.5g/㎡≥左边部面密度最大差值或右边部面密度最大差值＞1g/㎡时，控制系统发送降速指令，控制后处理驱动电机组件，使得后处理单体机的铜箔运行速度下降到0.8V₀-0.9V₀的线速度处理铜箔；

当2g/㎡≥左边部面密度最大差值或右边部面密度最大差值＞1.5g/㎡时，控制系统发送降速指令，控制后处理驱动电机组件，使得后处理单体机的铜箔运行速度下降到0.65V₀-0.75V₀米/分钟的线速度处理铜箔；

当左边部面密度最大差值或右边部面密度最大差值＞2g/㎡时，控制系统发送降速指令，控制后处理驱动电机组件，使得后处理单体机的铜箔运行速度下降到0.5V₀-0.6V₀米/分钟的线速度处理铜箔；

其中，左边部面密度最大差值＝(铜箔左侧布置的测厚仪测得的最大值-铜箔左侧布置的测厚仪测得的最小值)×ρ；

右边部面密度最大差值＝(铜箔右侧布置的测厚仪的最大值-铜箔右侧布置的测厚仪测得的最小值)×ρ；

其中，ρ表示铜箔的密度。

2.如权利要求1所述的防断箔生产工艺，其特征在于，V₀＝35米/分钟，V₁＝30米/分钟，V₂＝25米/分钟，V₃＝20米/分钟。