[发明专利]显示装置在审
| 申请号: | 202010103957.4 | 申请日: | 2020-02-20 |
| 公开(公告)号: | CN111312913A | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
| 发明(设计)人: | 黄海涛;于勇;徐传祥;舒适;李翔;岳阳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 尚伟净 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
本发明提出了显示装置,该显示装置包括:显示背板;彩膜基板,且彩膜基板与显示背板是对盒设置的;纳米金属光栅结构,该纳米金属光栅结构设置在彩膜基板靠近显示背板的一侧。本发明所提出的显示装置,将显示装置中的彩色滤光片替换成纳米金属光栅结构,利用纳米金属光栅的表面等离子共振效应实现增透降反的效果,且纳米金属光栅结构的偏振光透过率达到90%以上,同时还可以防止熄屏状态下外界光进入显示装置激发量子点发光。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体的,本发明涉及显示装置。
背景技术
现阶段高端的大尺寸显示产品,主要采用白光有机发光二极管+彩膜(WOLED+CF)、量子点发光二极管(QLED),而处于开发阶段的显示技术还有量子点-有机发光二极管(QD-OLED)、打印(IJP)OLED、量子点彩膜-液晶显示(QDCF-LCD)、打印电致发光(IJP QDEL)、微发光二级光(Micro LED)等。而对于自发光型的大尺寸显示技术,QD-OLED在3~5年内很有潜力能够挑战过WOLED+CF,从而创造出全新的市场局面。
其中,QD-OLED具有潜在的技术优势,例如高分辨率、高色域和高色纯度,不具有视角依赖性,另外还有具有应用在大型产品或高色域产品的潜力,也能兼容于中型的超高清(UHD)且高价值的产品。
发明内容
本发明是基于发明人的下列发现而完成的:
本发明人在研究过程中发现,现有的QD-OLED显示结构中,红绿蓝(RGB)三种子像素单元中的两种都需要设置彩色滤光片,而彩色滤光片的通过率只有80%左右,从而导致显示装置的亮度较低,并且,在熄屏状态下可防止外界光对QD激发的材料来源并不广泛。所以,本发明的发明人采用纳米金属光栅结构代替彩色滤光片,可以实现增透降反的效果,且的偏振光透过率达到90%以上,同时还可以防止在熄屏状态下外界光进入激发量子点发光。此外,纳米金属光栅结构可使显示装置的结构厚度更薄,从而还能降低显示装置的整体厚度,提高产品的附加值。
在本发明的第一方面,本发明提出了一种显示装置。
根据本发明的实施例,所述显示装置包括:显示背板;彩膜基板,所述彩膜基板与所述显示背板对盒设置;纳米金属光栅结构,所述纳米金属光栅结构设置在所述彩膜基板靠近所述显示背板的一侧。
本发明实施例的显示装置,将显示装置中的彩色滤光片替换成纳米金属光栅结构,利用纳米金属光栅的表面等离子共振效应实现增透降反的效果,且纳米金属光栅结构的偏振光透过率达到90%以上,同时还可以防止熄屏状态下外界光进入显示装置激发量子点发光。
另外,根据本发明上述实施例的显示装置,还可以具有如下附加的技术特征:
根据本发明的实施例,所述纳米金属光栅结构包括介质层和金属层,其中,所述介质层由同层且间隔设置的多个凸起组成,所述金属层设置在所述凸起远离所述彩膜基板的表面或填充在相邻的两个所述凸起之间。
根据本发明的实施例,所述介质层的厚度为50~100nm,且所述金属层的厚度为40~60nm。
根据本发明的实施例,所述纳米金属光栅结构的占空比为0.5~0.75。
根据本发明的实施例,所述纳米金属光栅结构通过光刻工艺或压印工艺形成的。
根据本发明的实施例,所述显示装置包括多个阵列分布的像素单元,每个所述像素单元包括第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元;且三个所述子像素单元中的任意两个内,所述纳米金属光栅结构靠近所述显示背板的一侧都设置有光致发光层。
根据本发明的实施例,所述显示背板上的有机发光层发出第一颜色的光;所述第二子像素单元中的所述光致发光层,在所述第一颜色的光激发下发出第二颜色的光;所述第三子像素单元中的所述光致发光层,在所述第一颜色的光激发下发出第三颜色的光。
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