[发明专利]用于预测晶片级缺陷可印性的设备及方法

权利要求书

1.一种鉴定光刻光罩合格性的方法，所述方法包括：

使用光罩检验工具在不同成像配置处从测试光罩的多个图案区域中的每一者获取多个图像；

基于从所述测试光罩的每一图案区域获取的所述图像恢复所述测试光罩的所述图案区域中的每一者的光罩近场；

将光刻模型施加到所述测试光罩的所述光罩近场以模拟多个测试晶片图像；以及

分析经模拟的测试晶片图像以确定所述测试光罩是否将可能导致不稳定或缺陷晶片。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含：

使用光罩检验工具在不同成像配置处从校准光罩的多个图案区域中的每一者获取多个图像；

基于从所述校准光罩的每一图案区域获取的所述图像恢复所述校准光罩的所述图案区域中的每一者的所述光罩近场；

基于所述光罩近场使用所述校准光罩的经恢复的光罩近场模拟多个晶片图像；

调整所述光刻模型的参数以使经模拟晶片图像与使用所述校准光罩印刷的晶片一致。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述光刻模型是基于自光罩恢复的光罩近场。

4.根据权利要求3所述的方法，其中使用用于确定所述光罩近场的拟牛顿或共轭梯度技术恢复所述光罩近场。

5.根据权利要求3所述的方法，其中通过最小化多个在所获取的图像与从所述光罩近场计算的多个图像之间的差异的平方的总和的回归技术恢复所述光罩近场。

6.根据权利要求3所述的方法，其中使用霍普金斯近似法恢复所述光罩近场。

7.根据权利要求3所述的方法，其中在不使用用于制作所述光罩的设计数据库的情况下恢复所述光罩近场。

8.根据权利要求3所述的方法，其中所获取的图像包含在经选择以导致相同光罩近场的不同成像条件下获取的至少三个图像。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述不同过程条件包含不同焦点设置、不同照明方向或图案、完整照明光瞳或照明光瞳的不同部分的不同线性偏振、及/或遮蔽集光光束的不同部分的不同切趾设置。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述光刻模型模拟光刻过程，包含特定光致抗蚀剂材料的效应。

11.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在多个不同光刻过程条件下将所述光刻模型施加到所述测试光罩近场；以及

分析所述经模拟的测试晶片图像，其包含通过比较具有不同过程条件且与相同光罩区域相关联的经模拟的测试图像而确定所述测试光罩是否将可能在所述不同光刻过程条件下导致不稳定晶片。

12.一种用于鉴定光刻光罩合格性的检验系统，所述系统包括：

光源，其用于产生入射光束；

照明光学装置，其用于将所述入射光束引导到光罩上；

集光光学装置，其用于将输出光束从所述光罩的每一图案区域引导到至少一个传感器；

至少一个传感器，其用于检测所述输出光束且基于所述输出光束产生图像或信号；及

控制器，其经配置以执行以下操作：

在不同成像配置处从测试光罩的多个图案区域中的每一者获取多个图像；

基于从所述测试光罩的每一图案区域获取的所述图像恢复所述测试光罩的所述图案区域中的每一者的光罩近场；

将光刻模型施加到所述测试光罩的所述光罩近场以模拟多个测试晶片图像；以及

分析经模拟的测试晶片图像以确定所述测试光罩是否将可能导致不稳定或缺陷晶片。