[发明专利]一种柔性显示面板及其制备方法有效
| 申请号: | 202010099021.9 | 申请日: | 2020-02-18 |
| 公开(公告)号: | CN111146266B | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
| 发明(设计)人: | 周思思 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 柔性 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本申请公开了一种柔性显示面板及其制备方法,通过在图案化的金属膜层上的平坦化层的凹槽处,采用有机保护层覆盖所述金属膜层的边缘,避免了后续刻蚀有机发光层的阳极的蚀刻液刻蚀到所述金属膜层,可防止所述金属膜层边缘的金属被腐蚀,并且可以阻挡空气中的水汽氧气和杂质沿着所述金属膜层的边缘进入所述有机发光层的器件区,从而提高封装效果。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种柔性显示面板及其制备方法。
背景技术
随着有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)显示技术的快速发展,推动曲面和柔性显示产品迅速进入市场,相关领域技术更新也是日新月异。OLED器件是利用有机发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光的二极管器件。OLED器件因其重量轻、厚度薄、可弯曲、视角范围大等优势,受到了广泛关注。
请参阅图1A-图1B,其中,图1A为现有OLED显示面板的截面示意图,图1B为图1A所示OLED显示面板的金属膜层的示意性剖视图。所述OLED显示面板具有显示区域(ActiveArea,简称AA)101和围绕所述显示区域101的非显示区域102。所述OLED显示面板包括:基板11;形成在所述基板11上并对应所述显示区域101的显示单元12;形成在所述基板11上并对应所述非显示区域102的图案化的金属膜层13;形成在所述非显示区域102并具有至少一部分接触所述金属膜层13的挡墙(DAM)单元14;以及用于密封所述显示单元12的薄膜封装层(TFE)15。
所述显示单元12包括薄膜晶体管(TFT)层121,电连接到所述薄膜晶体管层121的OLED 122,以及设置在所述薄膜晶体管层121和所述OLED 122之间的平坦化层(PLN)123。所述OLED 122包括阳极(ANO)1221、包含有机发光材料的中间层1222、阴极(Cathode)1223以及像素定义层(PDL)1224。其中,所述阳极1221形成在所述平坦化层123上,并且经由形成在所述平坦化层123中的接触孔电连接到所述薄膜晶体管层121。所述像素定义层1224形成在所述平坦化层123上并且包括部分地暴露所述阳极1221的开口。
所述金属膜层13包括电源线,所述电源线用于向所述OLED122供电。所述金属膜层13一般采用Ti/Al/Ti金属叠层结构,并与所述薄膜晶体管层121的源/漏电极(S/D)同层。而所述挡墙单元14两侧的所述金属膜层13上层的所述平坦化层123被挖去,形成凹槽13a,如图1B所示。其中,以透视效果示意被所述平坦化层123覆盖的所述金属膜层13部分。
所述挡墙单元14两侧的所述金属膜层13上层的所述平坦化层123被挖去,所述挡墙单元14的至少一部分可以形成为接触所述金属膜层13。图1A中示出了包括第一挡墙141和第二挡墙142的挡墙单元14,其中,所述第一挡墙141接触所述金属膜层13。
所述薄膜封装层15可以密封所述显示单元12并防止外部氧气和湿气渗透到所述显示单元12中。图1A中示出了包括一个有机层151以及两个无机层152的薄膜封装层15。
由于所述金属膜层13一般采用Ti/Al/Ti金属叠层结构,而所述凹槽13a内的所述平坦化层123被挖去,暴露出所述金属膜层13的边缘,在后续刻蚀形成所述OLED 122的阳极1221时,蚀刻液会沿着所述金属膜层13的边缘渗入,造成Ti/Al/Ti金属叠层结构中的Al被刻蚀,使所述金属膜层13中间形成空洞,造成所述金属膜层13的金属被腐蚀,且空气中的水汽、氧气、杂质等会沿着所述金属膜层13边缘空洞进入所述OLED 122的器件区,从而影响封装效果。
发明内容
本申请的目的在于,针对现有技术存在的问题,提供一种柔性显示面板及其制备方法,可以避免包括电源线的金属膜层的金属被腐蚀,并提高封装效果。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





