[发明专利]一种处理基坑内降水的装置

权利要求书

1.一种处理基坑内降水的装置，其特征在于，包括：

抽水基台（10）；

过滤框网（20），固定设置于所述抽水基台（10）的下端面，所述过滤框网（20）与所述抽水基台（10）围成一抽水空间（21）；

分级水管（30），多个分级水管（30）呈环形设置于所述抽水基台（10）的下方，多个所述分级水管（30）的上端共同与抽水装置（40）连接；

深度支管（31），所述分级水管（30）自上而下的设置有多个深度支管（31），所述深度支管（31）与所述分级水管（30）连通；

中部探底抽水管（50），所述抽水基台（10）的下端面中间还设置有与抽水装置（40）连通的中部探底抽水管（50），所述中部探底抽水管（50）贯穿所述过滤框网（20）的底部；

所述过滤框网（20）为锥形结构，其横截面面积自上而下逐渐减小；

所述分级水管（30）竖直而立，且所述分级水管（30）上的深度支管（31）设置在深度不同的水平面；

所述中部探底抽水管（50）包括：

固定上管（51），上端固定于所述抽水基台（10）的下方且与所述抽水装置（40）连通，其下端内部套设有下放管（52）；

下放管（52），活动嵌接于所述固定上管（51）的内部空腔中，所述下放管（52）上下活动的置于所述固定上管（51）的内部；

密封上套（53），套接于所述固定上管（51）的外周，所述密封上套（53）的内壁设有挡环（54），所述挡环（54）与所述固定上管（51）的下端面固定接触；

密封下套（55），套接于所述下放管（52）的外周，所述密封下套（55）的内部设有密封空腔，所述密封空腔用于容纳密封上套（53）；

间隙填充垫（56），所述密封下套（55）的内壁与所述密封上套（53）的外壁之间设置有间隙填充垫（56）；

所述密封上套（53）的下部外围设有外螺纹，所述密封下套（55）的内壁设有内螺纹，所述外螺纹与内螺纹配合连接；

所述下放管的下端设置有过滤端头（60），所述过滤端头（60）的上部端通过内接头（61）固定于所述下放管（52）的下端，所述过滤端头（60）的下部端固定有砂石过滤套（62），所述砂石过滤套（62）呈罩壳结构且与所述过滤端头（60）固定连接；

所述抽水基台（10）的侧壁处还设有扩径组件（70），

中心主动轮（71），转动设置于所述抽水基台（10）的正中间，其外周设有传动齿；

半幅从动轮（72），所述抽水基台（10）上还转动设置有半幅从动轮（72），所述中心主动轮（71）的四侧分别设置有对称而立的两个半幅从动轮（72），所述半幅从动轮（72）的外周设有半幅的传动齿，每个所述半幅从动轮（72）均与所述中心主动轮（71）啮合传动连接；

扩径臂（73），分为转动臂（731）和伸缩臂（732），所述转动臂（731）的一端与所述半幅从动轮（72）固定连接，另一端与伸缩臂（732）的内端铰接，所述伸缩臂（732）的外端为自由端；

限圈杆（74），一端铰接于所述抽水基台（10），另一端铰接于伸缩臂（732）的中部。

2.根据权利要求1所述的一种处理基坑内降水的装置，其特征在于：

所述扩径臂与抽水基台之间设有距离传感器，所述距离传感器连接于一个控制电路，所述控制电路包括：电源、三极管Q1、PMOS管Q2、信号接收端IO1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、电感M1、第一电容F1、第二电容F2、第三电容F3；

所述电源分别连接于所述PMOS管Q2的源极，以及所述第一电阻R1的一端；

所述三极管Q1的基极与信号接收端IO1连接，所述三极管Q1的集电极分别与第一电阻R1的另一端以及所述PMOS管Q2的栅极连接，所述三极管Q1的发射极接地；

所述PMOS管Q2的漏电极分别与所述第三电阻R3的一端、所述第六电阻R6的一端以及所述第四电阻R4的一端连接，所述PMOS管Q2的源极和栅极之间连接有反相串联的二极管；

所述第一电阻R1的另一端与所述第二电阻R2的一端连接；

所述第二电阻R2的另一端与所述电感M1的一端连接；

所述第三电阻R3的另一端与所述电感M1的一端连接；

所述第四电阻R4的另一端与所述电感M1的一端连接；

所述第五电阻R5的一端与所述电感M1的另一端连接，所述第五电阻R5的另一端、第六电阻R6的另一端分别与所述第三电容F3的一端连接；

所述电感M1的一端分别与压力传感器第一接出端、压力传感器第二接出端连接，所述电感M1的另一端与所述第二电容F2的一端连接；

所述第一电容F1连接于所述压力传感器第一接出端、所述压力传感器第二接出端；

所述第二电容F2的另一端接地；

所述第三电容F3的另一端接地。