[发明专利]一种富含表面S空位ZnIn2

权利要求书

1.一种富含表面S空位ZnIn₂S₄纳米片阵列的制备方法，其特征是：光电催化材料制备方法，首先制备ZnIn₂S₄纳米片阵列，ZnIn₂S₄纳米片阵列垂直生长在衬底上，纳米片厚度为30-50nm，具有较大的比表面积；然后通过调节等离子清洗功率来实现引入不同量的S空位；大量S空位在ZnIn₂S₄导带下侧形成一个局域能级，降低带隙宽度，提高ZnIn₂S₄纳米阵列电极片的吸光性能。

2.根据权利要求1所述的富含表面S空位ZnIn₂S₄纳米片阵列的制备方法，其特征是具体步骤如下：

步骤1，利用硝酸锌Zn(NO₃)₂·6H₂O、三氯化铟InCl₃·4H₂O、硫脲CH₄N₂S以摩尔比为1:2:4的比例配置前驱体溶液，通过一步水热法在导电基板上生长ZnIn₂S₄纳米阵列，即ZnIn₂S₄纳米阵列电极片；

步骤2，通过等离子体清洗技术在ZnIn₂S₄纳米阵列表面引入大量S空位。

3.根据权利要求2所述的富含表面S空位的ZnIn₂S₄纳米片阵列的制备方法，其特征是：所述步骤2中，在ZnIn₂S₄纳米阵列表面引入大量S空位，具体步骤如下：

步骤(2-1)，将生长有ZnIn₂S₄纳米阵列的电极片置入等离子体清洗机中，清洗室抽真空至5.0Pa，通入一定流量的惰性气体，通过调节真空泵排出气体的流速，使清洗室真空度保持在20-80Pa；

步骤(2-2)，所述的惰性气体为Ar或者N₂；所述惰性气体流量为40mL/min；

步骤(2-3)，开启清洗，调节真空泵，改变真空度使清洗功率为40-80W，保持30min，降温得到表面富含S空位的ZnIn₂S₄纳米阵列。

4.根据权利要求3所述的富含表面S空位的ZnIn₂S₄纳米片阵列的制备方法，其特征是：所述导电基板是硅片、导电玻璃。