[发明专利]OLED显示面板及其制备方法有效
| 申请号: | 202010082614.4 | 申请日: | 2020-02-07 |
| 公开(公告)号: | CN111276515B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
| 发明(设计)人: | 夏存军 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种OLED显示面板,其特征在于,包括:
基板;
TFT层,设置在所述基板的一侧;
像素定义层,设置在所述TFT层远离所述基板的一侧;
其中,所述像素定义层分离设置以形成多个像素开口区,每个所述像素开口区由内向外依次层叠设置有阳极、发光单元、阴极、第一封装层、以及微透镜;所述微透镜包括第一微透镜和第二微透镜;其中,所述第一微透镜位于在所述像素开口区内,凸出并封闭所述像素开口区,所述第二微透镜与所述第一微透镜对位设置,且覆盖所述第一微透镜和所述像素开口区;所述第一微透镜与所述第二微透镜之间设置有第一平坦化层,所述第二微透镜表面设置有第二平坦化层,所述第一微透镜的折射率小于所述第一平坦化层的折射率,所述第二微透镜的折射率大于所述第二平坦化层的折射率;其中,所述第一平坦化层远离所述发光单元一侧设置有第二封装层,所述第二封装层为无机层。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一微透镜的底部和两侧均贴合所述第一封装层表面。
3.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一平坦化层的材料和所述第二平坦化层的材料为丙烯酸基树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺基树脂、聚酰亚胺基树脂、不饱和聚酯树脂中至少一种材料;所述第一微透镜的材料为聚四氟乙烯;所述第二微透镜的材料为聚苯乙烯。
4.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一微透镜的折射率为1.1至1.35范围内,所述第一平坦化层的折射率和所述第二平坦化层的折射率为1.4至1.5范围内,所述第二微透镜的折射率为1.5至2.0范围内。
5.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一微透镜和所述第二微透镜均为圆弧结构,朝向所述基板一侧为平面。
6.根据权利要求5所述的OLED显示面板,其特征在于,所述圆弧结构靠近中心线位置的水平夹角小于远离所述中心线位置的水平夹角。
7.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述像素开口区为倒梯形、倒三角形或者扇形中一种图形。
8.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述阳极、所述发光单元、以及所述阴极均为直线段,所述阳极位于所述TFT层表面,所述发光单元贴合于所述阳极表面,所述阴极贴合于所述发光单元表面,且所述阳极、所述发光单元、以及所述阴极两端均贴合于所述像素开口区的侧壁上。
9.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一封装层由无机层、有机层、以及无机层叠加而成。
10.一种OLED显示面板制备方法,其特征在于,所述方法包括:
步骤S10,提供一基板,在所述基板上依次制备TFT层和像素定义层,所述像素定义层分离设置以形成多个像素开口区;
步骤S20,所述像素开口区由内向外依次叠层制备阳极、发光单元、阴极、第一封装层、以及微透镜,其中,所述第一封装层由无机层、有机层、以及无机层叠加而成;具体还包括:利用喷墨打印技术,将墨滴喷涂在所述像素开口区内的所述第一封装层表面,固化所述墨滴,形成第一微透镜,其中,所述第一微透镜凸出并封闭所述像素开口区;
待所述第一微透镜完成后,在所述第一微透镜表面涂布第一平坦化层,在第一平坦化层沉积第二封装层,其中,所述第一微透镜的折射率小于所述第一平坦化层的折射率,所述第二封装层为无机层;
利用喷墨打印技术,将墨滴喷涂在所述第二封装层表面,固化所述墨滴,形成第二微透镜,其中,所述第二微透镜与所述第一微透镜对位设置,覆盖所述第一微透镜和所述像素开口区;
待所述第二微透镜完成后,在所述第二微透镜表面涂布第二平坦化层,其中,所述第二微透镜的折射率大于所述第二平坦化层的折射率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





