[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，其包括带隙比硅的带隙宽的半导体；

第一导电型区，其设置于所述半导体基板的内部；

第一个第二导电型区，其设置于所述半导体基板的内部，位于比所述第一导电型区靠近所述半导体基板的第一主面侧的位置，且与所述第一导电型区接触；

绝缘栅型场效应晶体管，其将所述第一导电型区作为漂移区，并将所述第一个第二导电型区作为基区；

所述绝缘栅型场效应晶体管的源极焊盘，其设置于所述半导体基板的第一主面上而与所述第一个第二导电型区电连接，并在与所述半导体基板的第一主面正交的方向上与所述第一个第二导电型区对置；

所述绝缘栅型场效应晶体管的栅极焊盘，其在除了配置有所述绝缘栅型场效应晶体管的有效区以外的无效区中，以与所述源极焊盘分离的方式设置于所述半导体基板的第一主面上；

所述绝缘栅型场效应晶体管的漏电极，其与所述半导体基板的第二主面电连接；

第二个第二导电型区，其在所述无效区中设置于所述半导体基板的内部，位于比所述第一导电型区靠近所述半导体基板的第一主面侧的位置，与所述第一导电型区接触，且在与所述半导体基板的第一主面正交的方向上与所述栅极焊盘对置；以及

第三个第二导电型区，其设置于所述第二个第二导电型区的内部，且杂质浓度比所述第二个第二导电型区的杂质浓度高，

所述第二个第二导电型区介由所述第三个第二导电型区而与所述源极焊盘电连接，且具有角部被倒角的矩形的平面形状，

所述第三个第二导电型区具有呈角部被倒角的矩形地包围所述第二个第二导电型区的中央部的平面形状。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备：

1个以上的元件，其设置于所述半导体基板；以及

所述元件的1个以上的电极焊盘，其在所述无效区中以与所述源极焊盘和所述栅极焊盘分离的方式设置于所述半导体基板的第一主面上，

所述第二个第二导电型区在与所述半导体基板的第一主面正交的方向上与所述栅极焊盘和所有的所述电极焊盘对置。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极焊盘和所述电极焊盘配置于所述无效区的局部，

所述第二个第二导电型区设置于所述无效区的整个区域。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极焊盘和所述电极焊盘配置于所述无效区的局部，

所述第二个第二导电型区仅设置于在与所述半导体基板的第一主面正交的方向上与所述栅极焊盘和所有的所述电极焊盘对置的部分。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备：

所述绝缘栅型场效应晶体管以外的1个以上的元件，其设置于所述半导体基板；以及

所述元件的1个以上的电极焊盘，其在所述无效区中以与所述源极焊盘和所述栅极焊盘分离的方式设置于所述半导体基板的第一主面上，

所述第二个第二导电型区以彼此分开的方式配置于在与所述半导体基板的第一主面正交的方向上与所述栅极焊盘和所述电极焊盘对置的位置。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第二个第二导电型区的角部被呈圆弧状地倒圆角。

7.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第二个第二导电型区的角部被倒角成钝角。