[发明专利]一种5G高频材料提高可靠性的镀通孔加工方法

说明书

本发明提供一种5G高频材料提高可靠性的镀通孔加工方法，包括以下步骤：S1.钻孔、电镀形成金属化通孔以后，往孔内填塞树脂/铜浆；S2.树脂固化以后用较原直径小0.2‑0.4mm的钻咀进行二次钻孔，在填塞的树脂内形成钻孔；S3.二钻以后再通孔电镀，二次孔铜电镀层包夹树脂/铜浆，让树脂/铜浆成为两次孔铜镀层的缓冲。本发明中，当一次孔铜断裂后，二次孔铜还能保证过孔互联，且因为存在一次孔铜和塞孔树脂的间隔，应力不会作用到二次孔铜，保证过孔连接的可靠性。

技术领域

本发明属于PCB加工方法领域，具体涉及一种5G高频材料提高可靠性的镀通孔加工方法。

背景技术

目前市面上用于生产PCB的PTFE板料，当板料的介电常数需要在2.5以下时，不能添加陶瓷粉填料（因为陶瓷粉填料的添加会导致介电常数升高），导致其Z轴CTE无法得到有效控制，实测此类板料的Z-CTE经常在200ppm/℃以上，而铜的CTE为17ppm/℃，在冷热循环测试其可靠性时，-40℃~125℃约一两百个循环即开始出现由于材料涨缩而导致电镀通孔孔铜断裂。

冷热循环实际验证的是PCB在外界环境如早晚、昼夜的温度变化下的长期可靠性。冷热循环表现比较差，意味着日后长期使用的可靠性得不到保证。而且随着使用时间延长，电镀通孔发生断裂开路的概率越来越大，甚至100%开路，导致电路失效。

此问题在业界无很好的解决办法，只能被动增加设计过孔数量来延缓电路失效的时间。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种5G高频材料提高可靠性的镀通孔加工方法，本发明可有效解决PTFE基PCB的镀通孔在冷热循环测试时，由于过高的Z-CTE的涨缩导致孔铜断裂的可靠性问题。

本发明的技术方案为：

一种5G高频材料提高可靠性的镀通孔加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.钻孔、电镀形成金属化通孔以后，往孔内填塞树脂/铜浆；

S2.树脂固化以后用较原直径小0.2-0.4mm的钻咀进行二次钻孔，在填塞的树脂内形成钻孔；

S3.二钻以后再通孔电镀，二次孔铜电镀层包夹树脂/铜浆，让树脂/铜浆成为两次孔铜镀层的缓冲。

现有技术的工艺生产，冷热交替产生的涨缩应力变化导致孔铜变形疲劳断裂后即过孔开路。本发明中，当一次孔铜断裂后，二次孔铜还能保证过孔互联，且因为存在一次孔铜和塞孔树脂的间隔，应力不会作用到二次孔铜。

本发明中，由于存在树脂/铜浆的缓冲，PTFE基材的涨缩应力即使让第一次孔铜断裂，也不会继续作用到二次孔铜，因此能保证过孔连接的可靠性。

进一步的，所述步骤S3中，电镀工艺采用以下重量份数组分的电镀组合物：

亚脲基聚合物 35-67、经聚烷二醇残基官能化的氨基羧酸 23-38、经聚亚烷基亚胺残基官能化的氨基羧酸 16-24、经聚乙烯醇残基官能化的氨基羧酸 9-22、经聚烷二醇残基官能化的肽 12-28、经聚亚烷基亚胺残基官能化的肽及经聚乙烯醇残基官能化的肽 8-16、五水硫酸铜 55-95、硫酸 25-32、抑制剂 9-19。

进一步的，所述步骤S3中，电镀工艺采用以下重量份数组分的电镀组合物：

亚脲基聚合物 42-58、经聚烷二醇残基官能化的氨基羧酸 25-33、经聚亚烷基亚胺残基官能化的氨基羧酸 18-22、经聚乙烯醇残基官能化的氨基羧酸 14-18、经聚烷二醇残基官能化的肽 18-26、经聚亚烷基亚胺残基官能化的肽及经聚乙烯醇残基官能化的肽10-13、五水硫酸铜 68-84、硫酸 28-30、抑制剂 12-17。