[发明专利]一种5G高频材料提高可靠性的镀通孔加工方法

权利要求书

1.一种5G高频材料提高可靠性的镀通孔加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.钻孔、电镀形成金属化通孔以后，往孔内填塞树脂/铜浆；

S2.树脂固化以后用较原直径小0.2-0.4mm的钻咀进行二次钻孔，在填塞的树脂内形成钻孔；

S3.二钻以后再通孔电镀，二次孔铜电镀层包夹树脂/铜浆，让树脂/铜浆成为两次孔铜镀层的缓冲。

2.根据权利要求1所述的5G高频材料提高可靠性的镀通孔加工方法，其特征在于，所述步骤S3中，电镀工艺采用以下重量份数组分的电镀组合物：

亚脲基聚合物 35-67、经聚烷二醇残基官能化的氨基羧酸 23-38、经聚亚烷基亚胺残基官能化的氨基羧酸 16-24、经聚乙烯醇残基官能化的氨基羧酸 9-22、经聚烷二醇残基官能化的肽 12-28、经聚亚烷基亚胺残基官能化的肽及经聚乙烯醇残基官能化的肽 8-16、五水硫酸铜 55-95、硫酸 25-32、抑制剂 9-19。

3.根据权利要求2所述的5G高频材料提高可靠性的镀通孔加工方法，其特征在于，所述步骤S3中，电镀工艺采用以下重量份数组分的电镀组合物：

亚脲基聚合物 42-58、经聚烷二醇残基官能化的氨基羧酸 25-33、经聚亚烷基亚胺残基官能化的氨基羧酸 18-22、经聚乙烯醇残基官能化的氨基羧酸 14-18、经聚烷二醇残基官能化的肽 18-26、经聚亚烷基亚胺残基官能化的肽及经聚乙烯醇残基官能化的肽10-13、五水硫酸铜 68-84、硫酸 28-30、抑制剂 12-17。

4.根据权利要求3所述的5G高频材料提高可靠性的镀通孔加工方法，其特征在于，所述步骤S3中，电镀工艺采用以下重量份数组分的电镀组合物：

亚脲基聚合物 49、经聚烷二醇残基官能化的氨基羧酸 29、经聚亚烷基亚胺残基官能化的氨基羧酸 20、经聚乙烯醇残基官能化的氨基羧酸 16、经聚烷二醇残基官能化的肽23、经聚亚烷基亚胺残基官能化的肽及经聚乙烯醇残基官能化的肽11、五水硫酸铜 78、硫酸 29、抑制剂 14。

5.根据权利要求2-4任一项所述的5G高频材料提高可靠性的镀通孔加工方法，其特征在于，所述抑制剂选自聚亚烷基二醇化合物、烷氧基萘酚、聚（乙二醇-丙二醇）无规共聚物、聚（聚乙二醇-聚丙二醇-聚乙二醇）嵌段共聚物、聚（聚丙二醇-聚乙二醇-聚丙二醇）嵌段共聚物中一种或几种。

6.根据权利要求5所述的5G高频材料提高可靠性的镀通孔加工方法，其特征在于，所述步骤S3中，电镀方法包括以下步骤：

S31.提供包含盲微孔及具有供沟槽形成用的开口的图案化抗蚀剂层的衬底；

S32.操作所述衬底作为阴极使其与至少一个阳极接触，且使所述衬底与所述电镀组合物接触；S33.对所述衬底施加电流，所述电流包含至少一个由一个正向电流脉冲及一个反向电流脉冲组成的电流脉冲周期，且其中在所述至少一个电流脉冲周期中，施加于所述衬底的反向电荷对正向电荷的分率为在0 .1％到5％的范围内。

7.根据权利要求6所述的5G高频材料提高可靠性的镀通孔加工方法，其特征在于，所述至少一个电流脉冲周期中，所述正向电流脉冲的持续时长在10ms到1000ms的范围内。

8.根据权利要求7所述的5G高频材料提高可靠性的镀通孔加工方法，其特征在于，所述至少一个电流脉冲周期中，所述反向电流脉冲的持续时长在0 .05ms到1ms的范围内。

9.根据权利要求8所述的5G高频材料提高可靠性的镀通孔加工方法，其特征在于，所述至少一个电流脉冲周期中，所述反向电流脉冲的电流密度在20A/dm2到100A/dm2的范围内。

10.根据权利要求9所述的5G高频材料提高可靠性的镀通孔加工方法，其特征在于，所述至少一个电流脉冲周期中，所述正向电流脉冲的电流密度在0 .5A/dm2到10A/dm2的范围内。