[发明专利]一种接触凹槽形成方法及半导体

权利要求书

1.一种接触凹槽形成的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一半成品的半导体，所述半导体包括对应于不同区域的采用第一材料的第一结构、采用第二材料的第二结构，以及至少顶部采用所述第二材料的第三结构，所述半导体为三维存储器；

通过同一第一刻蚀过程，利用所述第一材料与所述第二材料的不同刻蚀速率，对所述第一结构、所述第二结构和所述第三结构进行刻蚀，以形成特定深度的凹槽；

其中，所述第一材料的刻蚀速率大于所述第二材料的刻蚀速率，使得采用所述第二材料的所述第三结构的顶部作为刻蚀阻挡层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一材料为半导体材料，所述第二材料为导体材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第三结构包括采用所述第二材料的作为顶部的阻挡层以及采用第三材料的作为底部的接触层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一材料和所述第三材料为半导体材料，所述第二材料为导体材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一结构对应于所述三维存储器的外围区域，所述第二结构对应于所述三维存储器的阶梯区域，所述第三结构对应于所述三维存储器的存储区域。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一结构为三维存储器的外围电路，所述第二结构为三维存储器的阶梯结构，所述第三结构为三维存储器的沟道通孔；对应地，所述提供一半成品的半导体包括：

提供一半导体衬底；

在所述衬底的第一区域上形成外围电路，所述外围电路包括由第一半导体材料形成的接触层；

在所述衬底的第二区域上形成叠层结构，所述叠层结构包括交替叠置的导体层和电介质层，所述导体层由导体材料形成；

在所述叠层结构的至少一个横向面上形成阶梯结构，所述阶梯结构中每一所述导体层均作为对应阶梯层的接触层；

在所述叠层结构内形成沟道通孔，所述沟道通孔内包括由第二半导体材料填充的沟道；

在沟道顶部采用所述第二半导体材料形成插塞结构，所述插塞结构为所述沟道通孔的接触层；

在所述插塞结构之上采用所述导体材料形成阻挡层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述半导体还包括在衬底上形成的覆盖所述外围电路、所述阶梯结构和所述沟道通孔的绝缘层；

对应地，在所述形成特定深度的凹槽之前，所述方法还包括：

通过同一第二刻蚀过程，对所述绝缘层进行刻蚀，形成每一所述接触层分别对应的垂直通孔，以暴露出所述外围电路和阶梯结构中的接触层以及所述沟道通孔中的阻挡层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述形成每一所述接触层分别对应的垂直通孔之前，所述方法还包括：

通过同一光刻过程，在所述绝缘层表面形成包括每一所述接触层对应的接触点的光刻胶图案；

对应地，所述通过同一第二刻蚀过程，对所述绝缘层进行刻蚀，形成每一所述接触点分别对应的垂直通孔，包括：

通过同一第二刻蚀过程，基于所述光刻胶图案，对所述绝缘层进行刻蚀，形成每一所述接触点分别对应的垂直通孔。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述形成特定深度的凹槽之前，所述方法还包括：

根据所述外围电路、所述阶梯结构以及所述沟道通孔分别对应的接触层中离子注入浓度分布和/或电性阻值要求，确定每一所述接触层和/或所述阻挡层要形成的接触凹槽的深度；

根据每一所述接触凹槽的深度，确定所述第一刻蚀过程中采用的所述第一半导体材料与所述导体材料的刻蚀选择比。