[发明专利]提高碳化硅少子寿命的方法在审
| 申请号： | 202010045972.8 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111243941A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 闫果果;刘兴昉;申占伟;赵万顺;王雷;孙国胜;曾一平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 碳化硅 少子 寿命 方法 | ||
1.一种提高碳化硅少子寿命的方法，包括：
(1)将碳化硅外延层在氧气中升温氧化；
(2)保持温度不变，将步骤(1)得到的碳化硅通入NO气体进行氮氧氧化；
(3)将步骤(2)得到的碳化硅在缓冲液中浸泡去除氧化过程中在碳化硅外延层表面形成的氧化层；
(4)将步骤(3)得到的碳化硅在惰性气体下退火，即得到处理后的碳化硅。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
步骤(1)中所述升温氧化步骤中升高温度至1300至1600℃。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
步骤(1)中所述氧化时间为5至50小时。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
步骤(2)中所述氮氧氧化步骤中氧化时间为20至60分钟。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
步骤(3)中所述缓冲液包括氢氟酸缓冲液。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
步骤(3)中所述浸泡时间为3至8分钟。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
步骤(4)中所述退火温度为1300至1600℃；
步骤(4)中所述退火时间为20至60分钟。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
步骤(4)中所述惰性气体包括氩气。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
步骤(1)开始前先对碳化硅外延层进行清洗。
10.一种碳化硅，采用如权利要求1至9任一项所述的方法得到；
其中，所述碳化硅少子寿命大于或等于4微秒。
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