[发明专利]一种基于近对称保护型连续束缚态的亚波长光栅结构

权利要求书

1.一种基于近对称保护型连续束缚态的亚波长光栅结构，其特征在于：包括介质基片、若干个介质光栅和介质包裹层；

所述的介质基片设置在介质光栅、介质包裹层的底部，用于支撑介质光栅、介质包裹层；

所述的介质光栅上设有周期性且非对称的凹槽；所述的凹槽的中心不与介质光栅的中心位置相重合；若干个所述的介质光栅周期性排列设置；

所述的介质包裹层覆盖在所述的介质光栅的四周；

所述的介质基片的折射率小于介质光栅的折射率；

所述的介质包裹层的折射率小于介质光栅的折射率；

所述的介质光栅的高度为H＝0.252λ，宽度为W＝0.302λ，其中所述的λ为输入光场的波长；若干个所述的介质光栅沿着x方向周期性排列，其周期为P＝0.42λ；所述的凹槽为矩形凹槽，其宽度为F_x＝W-W₁＝0.028λ，长度为F_y＝0.329λ；所述的凹槽沿着Y方向周期性排列，其周期为P_f＝0.560λ，所述的凹槽的中心在X方向与介质光栅的中心位置相距W₁/2。

2.根据权利要求1所述的基于近对称保护型连续束缚态的亚波长光栅结构，其特征在于：所述的凹槽设置在介质光栅的一侧，所述的凹槽的高度与介质光栅的高度相同。

3.根据权利要求2所述的基于近对称保护型连续束缚态的亚波长光栅结构，其特征在于：所述的介质光栅包括氮化硅、富硅氮化硅、硅和砷化镓。

4.根据权利要求3所述的基于近对称保护型连续束缚态的亚波长光栅结构，其特征在于：所述的介质包裹层包括空气、二氧化硅、电子束光刻胶HSQ。