[发明专利]晶圆加工系统及晶圆加工方法有效
| 申请号: | 202010037309.3 | 申请日: | 2020-01-14 |
| 公开(公告)号: | CN113192859B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
| 发明(设计)人: | 刘洋;江腾升;张志强 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/68 |
| 代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 加工 系统 方法 | ||
本发明实施例提供一种晶圆加工系统及晶圆加工方法,晶圆加工系统包括:真空传送腔室、晶圆传输装置以及设置在所述真空传送腔室内的晶圆定位装置和晶圆承载装置;所述晶圆定位装置用于检测所述晶圆的偏移量;所述晶圆传输装置用于承载所述晶圆并将所述晶圆传输至任意指定位置,且可根据所述偏移量调整自身的位置;所述晶圆承载装置相对于所述晶圆传输装置可移动,且用于承载所述晶圆并分离所述晶圆与所述晶圆传输装置。本发明能够对晶圆的偏移情况进行检测,且能够根据检测到的偏移量进行相应的位置调节。
技术领域
本发明实施例涉及半导体制造领域,特别涉及一种晶圆加工系统及晶圆加工方法。
背景技术
在半导体晶圆的制备过程中,真空传送腔室(Vacuum Transfer Module,VTM)通常与各种晶圆制程腔室(Process Module,PM)结合使用,其中晶圆制程腔室可包括光刻系统、刻蚀系统以及物理沉积系统。
具体地说,真空传送腔室放置在晶圆的储备设施和多个晶圆制程腔室之间。当需要对一片晶圆加工时,可以从晶圆储备设施中取出至少一片被选晶圆,并将被选中的晶圆放到多个制程腔室中的一个或多个。
发明内容
本发明实施例解决的技术问题为提供一种晶圆加工系统及晶圆加工方法,解决晶圆在传送过程中发生偏移的问题。
为解决上述问题,本发明实施例提供一种晶圆加工系统,包括:真空传送腔室、晶圆传输装置以及设置在所述真空传送腔室内的晶圆定位装置和晶圆承载装置;所述晶圆定位装置用于检测所述晶圆的偏移量;所述晶圆传输装置用于承载所述晶圆并将所述晶圆传输至任意指定位置,且可根据所述偏移量调整自身的位置;所述晶圆承载装置相对于所述晶圆传输装置可移动,且用于承载所述晶圆并分离所述晶圆与所述晶圆传输装置。
另外,所述晶圆传输装置包括可移动至任意位置的机械手臂和与所述机械手臂活动连接的机械手,所述机械手用于承载所述晶圆;所述机械手具有开口,所述晶圆承载装置可穿过所述开口,以分离所述晶圆与所述晶圆传输装置。
另外,所述真空传送腔室包括底壁和与所述底壁相对设置的顶壁,所述晶圆承载装置包括设置在所述底壁上的可升降的支撑杆和位于所述支撑杆上的承载台;其中,所述支撑杆升起时,所述承载台从所述机械手的所述开口中穿出并承载所述晶圆。
另外,所述晶圆承载装置在未工作时的高度低于所述晶圆传输装置的高度。
另外,所述支撑杆至少包括第一套杆和第二套杆,所述第二套杆相对于所述第一套杆可活动,所述第一套杆的长度与所述第二套杆的长度中的最大值小于所述晶圆传输装置的高度,所述第一套杆的长度和所述第二套杆的长度之和大于所述晶圆传输装置的高度。
另外,所述第一套杆的长度与所述第二套杆的长度中的最大值与所述承载台的厚度之和小于所述晶圆传输装置的高度;所述第一套杆的长度、所述第二套杆的长度及所述承载台的厚度之和大于所述晶圆传输装置的高度。
另外,所述晶圆承载装置设置于所述晶圆定位装置内,且所述晶圆承载装置的中心轴线与所述晶圆定位装置中心轴线重合;或者,所述晶圆承载装置设置于所述晶圆定位装置的侧面。
另外,所述晶圆定位装置包括至少三个光感传感器,每一所述光感传感器用于检测所述晶圆的至少一边缘点的位置,不同的所述光感传感器检测的边缘点不同。
另外,所述晶圆的偏移量大于预设偏移范围时,所述晶圆定位装置发出报警信息。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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