[发明专利]一种流水结构的软错误自检电路在审
| 申请号: | 202010016896.8 | 申请日: | 2020-01-08 |
| 公开(公告)号: | CN111181545A | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
| 发明(设计)人: | 温亮;韩建民;陈萱华;陶建平;路士兵 | 申请(专利权)人: | 中国人民武装警察部队海警学院 |
| 主分类号: | H03K19/003 | 分类号: | H03K19/003 |
| 代理公司: | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人: | 方小惠 |
| 地址: | 315801 浙江省宁波市北*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 流水 结构 错误 自检 电路 | ||
1.一种流水结构的软错误自检电路,其特征在于包括两个延时链、两个双输入延时电路、两个反相器、锁存器和二输入异或门,每个所述的双输入延时电路分别具有第一输入端、第二输入端和输出端,每个所述的反相器分别具有输入端和输出端,所述的锁存器具有时钟端、输入端和输出端,所述的二输入异或门具有第一输入端、第二输入端和输出端;
每个所述的延时链分别包括2k+1个反相器,k为大于等于0的整数,当k=0时,第1个反相器的输入端为所述的延时链的输入端,第1个反相器的输出端为所述的延时链的输出端,当k>0时,第1个反相器的输入端为所述的延时链的输入端,第j个反相器的输出端和第j+1个反相器的输入端连接,j=1,2,…,2k,第2k+1个反相器的输出端为所述的延时链的输出端;;将两个所述的延时链分别称为第一延时链和第二延时链,将两个所述的双输入延时电路分别称为第一双输入延时电路和第二双输入延时电路,将两个所述的反相器分别称为第一反相器和第二反相器;
所述的第一延时链的输入端和所述的第一双输入延时电路的第二输入端连接且其连接端为所述的软错误自检电路的第一输入端,所述的第一延时链的输出端和所述的第一双输入延时电路的第一输入端连接,所述的第一双输入延时电路的输出端和所述的第一反相器的输入端连接,所述的第一反相器的输出端和所述的锁存器的输入端连接,所述的锁存器的输出端和第二双输入延时电路的第二输入端连接,所述的第二双输入延时电路的第一输入端为所述的软错误自检电路的第二输入端,所述的第二双输入延时电路的输出端和所述的二输入异或门的第二输入端连接,所述的二输入异或门的第一输入端和所述的第二反相器的输出端连接,所述的第二反相器的输入端为所述的软错误自检电路的第三输入端,所述的二输入异或门的输出端为所述的软错误自检电路的输出端,所述的锁存器的时钟端和所述的第二延时链的输出端连接,所述的第二延时链的输入端为所述的软错误自检电路的第四输入端;
每个所述的双输入延时电路分别包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管,所述的第一PMOS管的源极接入电源,所述的第一PMOS管的栅极和所述的第一NMOS管的栅极连接且其连接端为所述的双输入延时电路的第一输入端,所述的第一PMOS管的漏极和所述的第二PMOS管的源极连接,所述的第二PMOS管的栅极和所述的第二NMOS管的栅极连接且其连接端为所述的双输入延时电路的第二输入端,所述的第二PMOS管的漏极和所述的第一NMOS管的漏极连接且其连接端为所述的双输入延时电路的输出端,所述的第一NMOS管的源极和所述的第二NMOS管的漏极连接,所述的第二NMOS管的源极接地;
检测时,将所述的软错误自检电路的第一输入端与流水结构的输入端相连,第二输入端与流水结构的主锁存器的输出端相连,第三输入端与流水结构的输出端相连,第四个输入端与流水结构的时钟端相连,流水结构中主锁存储和所述的软错误自检电路内的锁存器存储的数据一致,当流水结构内部产生软错误现象时,所述的软错误自检电路的第二输入端的数据D1与所述的第二双输入延时电路的第二输入端的数据NM2会不一致,此时所述的第二双输入延时电路关闭,所述的二输入异或门的第二输入端保持原来的数据NE,由于流水结构的主锁存器的数据被破坏了,发生了翻转,导致流水结构的输出端输出的数据和所述的二输入异或门的第一输入端的数据NS也发生了翻转,即所述的二输入异或门的第一输入端和第二输入端的值不一致,此时所述的二输入异或门的输出端会产生一个高电平脉冲信号,即所述的软错误自检电路的输出端会产生一个用于识别软错误的高电平脉冲信号,由此检测出流水结构内发生了软错误现象。
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