[发明专利]一种高绝缘电阻二氧化硅薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202010012476.2 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN111085411B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 丁万昱;王棋震 | 申请（专利权）人： | 大连交通大学 |
| 主分类号： | B05D1/04 | 分类号： | B05D1/04;B05D3/04 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 赵淑梅;李馨 |
| 地址： | 116028 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 电阻 二氧化硅 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种高绝缘电阻二氧化硅薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述制备方法为：利用大气压放电的方法得到具有高绝缘电阻的二氧化硅薄膜材料，大气压放电温度为室温，在二氧化硅薄膜生长过程中，大气压放电装置的喷嘴始终垂直于基片表面，喷嘴并与基片表面保持恒定距离，且喷嘴相对于基片表面做周期性往复运动；
运动速度为＞0.5cm/min，周期性往复运动次数为＞1次，沉积时间为＞1min，二氧化硅薄膜材料的厚度为＞1μm；
所述基片表面为曲面；
所述二氧化硅薄膜的硅源为四氯化硅。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述基片材料为致密材质的材料。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述致密材质的材料为金属、线路板、陶瓷或半导体。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述大气压放电的工作气体为氩气，氩气的纯度为99.99％；
所述四氯化硅的纯度为＞98％；
所述二氧化硅薄膜的辅助氧源为氧气，氧气的纯度为99.99％。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述氩气流量为＞1slm；
所述氧气流量为＞5sccm；
所述四氯化硅的载气为氩气或氧气，所述载气流量为＞10sccm。
6.权利要求1、2、3、4或5所述方法制备的高绝缘电阻二氧化硅薄膜材料。
7.根据权利要求6所述的高绝缘电阻二氧化硅薄膜材料，其特征在于：所述二氧化硅薄膜材料的绝缘电阻＞108Ω/μm。
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