[发明专利]背侧晶圆对准方法

说明书

本发明题为“背侧晶圆对准方法”。本发明公开了一种用于晶圆对准的方法的实施方式，该实施方式可包括：提供具有第一侧和第二侧的晶圆，以及在晶圆的第二侧上形成种子层。该方法可包括在两个或更多个预先确定的点处将粘稠物施加到种子层，以及将金属层镀覆在种子层上方和粘稠物周围。该方法可包括移除粘稠物以暴露种子层，以及蚀刻种子层以暴露在晶圆的第二侧上的多个对准特征结构。

相关专利申请的交叉引用

本申请要求授予Seddon等人的名称为“背侧晶圆对准方法(BACKSIDE WAFERALIGNMENT METHODS)”的美国临时专利申请62/796,680的提交日期的权益，该申请提交于2019年1月25日，该申请的公开内容据此全文以引用方式并入本文。

技术领域

本文档的各方面整体涉及用于对准衬底的系统和方法。更具体的实施方式涉及半导体衬底。

背景技术

半导体衬底用于形成各种半导体器件。半导体器件通常分布在多个管芯中的半导体衬底的平坦表面上。使用分割工艺(比如锯切)将多个管芯彼此分开。

发明内容

用于晶圆对准的方法的实施方式可包括：提供具有第一侧和第二侧的晶圆，并且在该晶圆的第二侧上形成种子层。该方法可包括在两个或更多个预先确定的点处将粘稠物施加到种子层，以及将金属层镀覆在种子层上方和粘稠物周围。该方法可包括移除粘稠物以暴露种子层，以及蚀刻种子层以暴露晶圆中的多个对准特征结构。

用于晶圆对准的方法的实施方式可包括以下各项中的一者、全部或任一者：

该方法还可包括使用多个对准特征结构对准晶圆以用于分割，

施加粘稠物还可包括使用模版、马达控制分配器或喷涂机中的一者。

金属层可包含金、铜、镍或它们的任何组合。

粘稠物可包含光致抗蚀剂、树脂或聚合物材料。

用于晶圆对准的方法的实施方式可包括：提供一种晶圆，在该晶圆的第一侧上具有一个或多个管芯通道，并且在该晶圆的第二侧上具有种子金属层。该方法可包括将粘稠物施加到晶圆的第二侧的与晶圆的第一侧上的一个或多个管芯通道对应的区域。该方法可包括在种子金属层上形成金属层，以及蚀刻种子层以暴露一个或多个管芯通道中的两个管芯通道。该两个或更多个管芯通道可各自在其中包括多个对准特征结构。

用于晶圆对准的方法的实施方式可包括以下各项中的一者、全部或任一者：

该方法还可包括使用红外相机对准晶圆以及将晶圆分割成多个管芯。

施加粘稠物还可包括使用模版、马达控制分配器或喷涂机中的一者。

金属层可包含金、铜、镍或它们的任何组合中的一者。

粘稠物可包含光致抗蚀剂、树脂和聚合物材料。

用于晶圆对准的方法的实施方式可包括：提供具有第一侧和第二侧的晶圆，以及将晶圆背侧涂层施加到晶圆的第二侧。该方法还可包括在两个或更多个预先确定的点处将粘稠物施加到背侧涂层，以及将金属层镀覆在晶圆背侧涂层上方和粘稠物周围。该方法可包括移除粘稠物以暴露晶圆背侧涂层，以及移除晶圆背侧涂层以暴露晶圆中的多个对准特征结构。

用于晶圆对准的方法的实施方式可包括以下各项中的一者、全部或任一者：

该方法还可包括使用红外相机对准晶圆以及将晶圆分割成多个管芯。

施加粘稠物还可包括使用模版、马达控制分配器或喷涂机中的一者。

金属层可包含金、铜、镍以及它们的任何组合中的一者。

粘稠物可包含光致抗蚀剂、树脂或聚合物材料。