[发明专利]阵列基板以及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板，所述衬底基板包括电容区和与所述电容区相邻设置的非电容区；

存储电容，位于所述衬底基板的一侧，且位于所述电容区；

其中，所述存储电容包括沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一电极层、第一电介质层、第二电极层、第二电介质层和第三电极层，所述第三电极层通过第一过孔与所述第一电极层电连接且与所述第二电极层绝缘；

所述阵列基板还包括位于所述非电容区的绝缘层，所述第一电介质层和/或第二电介质层的厚度小于与其同层设置且材料相同的位于所述非电容区的绝缘层的厚度。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述非电容区的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、第一绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极，所述有源层位于所述衬底基板和所述第一绝缘层之间，所述栅极位于所述第一绝缘层远离所述有源层的一侧，所述层间绝缘层覆盖所述栅极，所述源极和所述漏极位于所述层间绝缘层远离所述有源层一侧的表面，所述源极和所述漏极分别通过第二过孔与所述有源层连接；

所述第一电极层与所述栅极位于同一层且材料相同；

优选地，所述第一电极层与所述栅极相连。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括电源线，所述层间绝缘层包括第一层间绝缘层和第二层间绝缘层，所述第一层间绝缘层覆盖所述栅极，所述第二层间绝缘层覆盖所述电源线以及所述第一层间绝缘层，所述第一电介质层与所述第一层间绝缘层位于同一层且材料相同，所述第二电极层与所述电源线位于同一层且材料相同；

优选地，所述第二电极层与所述电源线相连。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二层间绝缘层与所述第二电介质层位于同一层且材料相同；

优选地，所述第二电介质层的厚度为100nm～200nm；

优选地，所述第三电极层与所述源极和/或所述漏极位于同一层且材料相同。

5.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，所述存储电容还包括第三电介质层和第四电极层，所述第四电极层位于所述第三电极层远离所述衬底基板的一侧，所述第三电介质层位于所述第三电极层与所述第四电极层之间；

所述第四电极层通过第三过孔与所述第二电极层电连接且与所述第三电极层绝缘；

优选地，所述第三电介质层的厚度小于与其同层设置且材料相同的位于所述非电容区的绝缘层的厚度。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括覆盖所述第二层间绝缘层的第二绝缘层，所述第三电介质层与所述第二绝缘层位于同一层且材料相同；

优选地，所述第三电介质层的厚度小于所述第二绝缘层的厚度；

优选地，所述第二绝缘层的厚度为150nm～300nm，所述第三电介质层的厚度为100nm～150nm；

优选地，所述第二绝缘层的材料为SiN_x。

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括覆盖所述第二层间绝缘层的第一平坦化层，所述第三电介质层与所述第一平坦化层位于同一层且材料相同；

优选地，所述第三电介质层的厚度小于所述第一平坦化层的厚度；

优选地，所述第一平坦化层的厚度为1.4μm～1.6μm，所述第三电介质层的厚度为0.5μm～1μm。

8.根据权利要求6或7所述的阵列基板，其特征在于，所述第四电极层包括Ti/Al/Ti的叠层金属层；

优选地，所述第四电极层的厚度为500nm～850nm。