[发明专利]半导体膜在审
| 申请号： | 201980098054.7 | 申请日： | 2019-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN114269972A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 福井宏史;渡边守道;吉川润 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C23C16/40;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人： | 王轶;郑雪娜 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 | ||
1.一种半导体膜，其是以具有由α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体构成的刚玉型结晶结构的结晶为主相的圆形的半导体膜，
所述半导体膜的特征在于，
所述半导体膜的表面的中心点X以及4个外周点A、B、C及D各自处的偏角的最大值θmax和最小值θmin满足θmax－θmin≤0.30°的关系，
所述偏角定义为：沿着所述半导体膜的大致法线方向取向的结晶轴相对于所述半导体膜的膜面的法线的倾斜角度，
所述外周点A、B、C及D以如下方式进行确定：i)将所述外周点A及所述外周点C连结的直线和将所述外周点B及所述外周点D连结的直线在所述中心点X处呈直角相交；且ii)所述外周点A、B、C及D距所述半导体膜的外缘的各最短距离为所述半导体膜的半径的1/5。
2.根据权利要求1所述的半导体膜，其特征在于，
当将所述中心点X处的偏角设为θX且将所述外周点A、B、C及D处的偏角的算术平均角设为θout时，满足θX＜θout的关系。
3.根据权利要求2所述的半导体膜，其特征在于，
表示所述θX与所述θout之差的Δθ满足0°≤Δθ≤0.20°的关系。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体膜，其特征在于，
所述半导体膜的直径为5.08cm(2英寸)以上。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体膜，其特征在于，
所述半导体膜形成在圆形的支撑基板上。
6.一种复合材料，其特征在于，具备：
圆形的支撑基板、以及在所述支撑基板上所形成的权利要求1～4中的任一项所述的半导体膜。
7.根据权利要求6所述的复合材料，其特征在于，
所述支撑基板的厚度为0.5mm以上。
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