[发明专利]包含发光苯并噻唑的发光材料、包括安全特征的制品以及形成包含发光苯并噻唑的发光颗粒的方法在审

专利信息
申请号: 201980090138.6 申请日: 2019-11-27
公开(公告)号: CN113330093A 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: T·波特拉瓦;M·凯斯勒 申请(专利权)人: 霍尼韦尔国际公司
主分类号: C09K11/02 分类号: C09K11/02;C09K11/06
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 杨贝贝;臧建明
地址: 美国新*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 包含 发光 噻唑 材料 包括 安全 特征 制品 以及 形成 颗粒 方法
【权利要求书】:

1.一种发光材料,包含:

介质;以及

包含具有脲基键的发光苯并噻唑的发光颗粒;

其中所述发光苯并噻唑响应约366nm波长的电磁辐射的激发而具有约555nm至约630nm波长内的峰强度。

2.根据权利要求1所述的发光材料,其中所述脲基键接合所述发光苯并噻唑中的含苯并噻唑基的基团和任选的卤代苯基基团。

3.根据权利要求2所述的发光材料,其中所述含苯并噻唑基的基团是苯基苯并噻唑基基团,并且其中所述脲基键将所述苯基苯并噻唑基基团接合到所述发光苯并噻唑中的所述任选的卤代苯基基团。

4.根据权利要求3所述的发光材料,其中所述苯基苯并噻唑基基团不含羟基侧基。

5.根据权利要求4所述的发光材料,其中所述发光苯并噻唑具有以下结构:

其中R1为H、卤素自由基、烷基基团、酯基团、醚基团、芳族基团或烷氧基基团;R2为H、卤素自由基、烷基基团、酯基基团、醚基基团、芳族基团或烷氧基基团,其中R1和R2可表示用以形成多环芳族基团的芳族基团与苯基基团的键;并且R3为H、卤素自由基或烷基基团。

6.根据权利要求5所述的发光材料,其中R1为H、卤素自由基、烷基基团、酯基团、醚基团、芳族基团或烷氧基基团;R2为H;并且R3为H。

7.根据权利要求1所述的发光材料,其中所述发光苯并噻唑响应约366nm波长的电磁辐射的激发而具有约558nm至约589nm波长内的峰强度。

8.根据权利要求1所述的发光材料,其中基于所述发光颗粒的总重量计,所述发光颗粒包含至少99重量%的量的所述发光苯并噻唑。

9.一种制品,包括:

基板;以及

认证特征,所述认证特征位于所述基板中和/或所述基板上,其中所述认证特征包括发光颗粒,其中所述发光颗粒包含具有脲基键的发光苯并噻唑,并且其中所述发光苯并噻唑响应于用约366nm波长的电磁辐射激发而具有约555nm至约630nm波长内的峰强度。

10.一种形成发光颗粒的方法,其中所述方法包括:

将包含氨基官能苯并噻唑反应物和有机溶剂的混合物加热至大于约60℃的温度;

在加热至大于约60℃的温度后,将含异氰酸酯化合物添加至所述混合物中以形成反应混合物;

将所述反应混合物在大于约60℃的温度处保持一段反应期以形成包含具有脲基键的发光苯并噻唑的发光颗粒。

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