[发明专利]校准多个计量设备的方法、确定感兴趣参数的方法以及计量设备在审

专利信息
申请号: 201980075962.4 申请日: 2019-08-21
公开(公告)号: CN113039488A 公开(公告)日: 2021-06-25
发明(设计)人: S·I·莫萨瓦特;B·O·法格金杰·奥尔;R·德克斯;A·奥诺塞;H·A·J·克莱默 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 董莘
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 校准 计量 设备 方法 确定 感兴趣 参数 以及
【说明书】:

用于校准计量设备和确定感兴趣参数的方法。在一种布置中,提供了训练数据,其包括由多个计量设备中的每一个检测的散射辐射的检测表示。编码器对每个检测表示进行编码以提供编码表示,并且解码器从相应的编码表示生成合成检测表示。分类器估计每个编码表示或每个合成检测表示源自哪个计量设备。训练数据用于同时以相对彼此的对抗关系执行涉及编码器或解码器的第一机器学习过程和涉及分类器的第二机器学习过程。

相关技术的交叉引用

本申请要求于2018年10月9日提交的欧洲申请18199371.8的优先权,并且通过引用将其全文结合于此。

技术领域

发明涉及校准多个计量设备。

背景技术

光刻设备是被构造为将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案化装置(例如,掩模)处的图案(通常也被称为“设计布局”或“设计”)投射到设置在衬底(例如,晶圆)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

为了将图案投射在衬底上,光刻设备可使用电磁辐射。该辐射的波长决定了可形成于衬底上的特征的最小尺寸。目前使用的典型波长为365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如具有193nm波长的辐射的光刻设备相比,使用具有在4-20nm范围内(例如6.7nm或13.5nm)的波长的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成更小的特征。

期望对在光刻工艺中产生的结构进行测量,例如用于工艺控制和验证。用于进行这种测量的各种工具是已知的。这种工具可称为计量设备。

依赖于光学散射测量的计量设备是已知的。在这种计量设备中,通过测量从目标散射的辐射来获得光学信号。光学信号可包括强度、相位、偏振、光谱信息或其他光学特性。从光学信号中推断出描述目标的属性的感兴趣参数,诸如目标的套刻(OV)、临界尺寸(CD)或更复杂的形状参数描述的结构。光学信号受目标的特性和计量设备的特性的影响。有必要在这两种影响之间进行区分以确定感兴趣参数。

期望使用不同的计量设备一致地测量目标的特性。这种能力可被称为工具到工具匹配。随着摩尔定律的不断发展,实现适当的工具到工具匹配变得越来越困难。对于复杂的测量模式,例如对于小目标(例如5X5μm2目标)使用不同偏振模式或宽波长范围的情况,以及对于困难的使用情况,例如灵敏度低和/或正在确定具有相关响应的多个感兴趣参数的情况,尤其如此。

发明内容

本发明的目的是例如在工具到工具匹配的背景下改进计量设备的校准。

在本发明的一个方面中,提供了一种校准多个计量设备的方法,包括:获得训练数据,对于每个计量设备,该训练数据包括从衬底上的结构散射并由计量设备检测到的辐射的多个检测表示;提供编码器,该编码器被配置为对每个检测表示进行编码以提供编码表示,以及提供解码器,该解码器被配置成从相应的编码表示生成合成检测表示;提供分类器,该分类器被配置为估计每个编码表示或每个合成检测表示源自哪个计量设备;以及使用训练数据来同时执行:第一机器学习过程,在该第一机器学习过程中,编码器和解码器中的一者或两者被训练为1)最小化检测表示和对应的合成检测表示之间的差,以及2)最小化分类器正确地识别出每个编码表示或每个合成检测表示源自哪个度量设备的概率;以及第二机器学习过程,在该第二机器学习过程中,分类器被训练为最大化分类器正确地识别出每个编码表示或每个合成检测表示源自哪个度量设备的概率。

附图说明

现在将参考所附示意图仅通过示例的方式描述本发明的实施例,在附图中相同的参考标号表示相应的特征,并且在附图中:

图1描绘了光刻设备的示意图;

图2描绘了光刻单元的示意图;

图3描绘了计量设备的示意图;

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