[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，包括：

腔室；

基板支撑单元，所述基板支撑单元可旋转地安装在所述腔室的处理空间中以支撑一个或多个基板；

第一气体喷射单元，用于向所述处理空间的第一区域喷射源气体；

第二气体喷射单元，用于向所述处理空间的第二区域喷射反应气体，所述反应气体与所述源气体发生反应；以及

第三气体喷射单元，用于向第三区域喷射净化气体，所述净化气体划分所述第一区域和所述第二区域。

2.根据权利要求1所述的装置，其中通过所述第二气体喷射单元向所述第二区域喷射等离子体气体。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第三区域被划分为第一分区、第二分区和第三分区。

4.根据权利要求3所述的装置，其中：

在所述第三区域的第一分区中设置第一等离子体喷射单元，

所述第一等离子体喷射单元向所述第一分区喷射等离子体气体。

5.根据权利要求4所述的装置，其中仅在所述基板支撑单元旋转时在所述第一分区中产生等离子体。

6.根据权利要求3所述的装置，其中：

在所述第三区域的第二分区中设置第二等离子体喷射单元，

所述第二等离子体喷射单元向所述第二分区喷射等离子体气体。

7.根据权利要求6所述的装置，其中仅在所述基板支撑单元旋转时在所述第二分区中产生等离子体。

8.根据权利要求2所述的装置，其中通过所述第三气体喷射单元向所述第三区域的第一分区和第二分区的全部喷射等离子体气体。

9.根据权利要求8所述的装置，其中仅在所述基板支撑单元旋转时在所述第一分区和所述第二分区的每一个中产生等离子体。

10.根据权利要求8所述的装置，其中：

所述第三气体喷射单元包括设置在所述第一分区中的第一等离子体喷射单元和设置在所述第二分区中的第二等离子体喷射单元，

所述第一等离子体喷射单元和所述第二等离子体喷射单元的每一个配置有具有电位差的第一电极和第二电极以产生等离子体。

11.根据权利要求1所述的装置，其中在所述第三气体喷射单元中安装用于测量所述第三区域中的基板的温度的温度检测仪。

12.根据权利要求3所述的装置，其中：

在所述第三区域的第一分区中设置第一等离子体喷射单元，

在所述第三区域的第二分区中设置第二等离子体喷射单元，

所述第一等离子体喷射单元或所述第二等离子体喷射单元配置有具有电位差的第一电极和第二电极以产生等离子体。

13.根据权利要求3所述的装置，其中：

在所述第三区域的第一分区中设置第一等离子体喷射单元，

在所述第三区域的第二分区中设置第二等离子体喷射单元，

所述第一等离子体喷射单元或所述第二等离子体喷射单元连接至用于喷射离子化气体或自由基的远程等离子体装置。

14.根据权利要求2或3所述的装置，其中所述第三气体喷射单元包括中央净化喷射单元，所述中央净化喷射单元用于在所述第三分区中向所述基板支撑单元的中心区域喷射所述净化气体。

15.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述第三气体喷射单元包括用于向所述第三区域的第一分区喷射所述净化气体的第一净化气体喷射单元以及用于向所述第一分区喷射等离子体气体的第一等离子体喷射单元，

所述基板支撑单元旋转，以使得基板穿过所述第一分区并且从所述第一区域移动到所述第二区域。