[发明专利]具有深沟槽隔离及沟槽电容器的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

半导体结构，其包含：

半导体表面层，其包含第一导电类型的多数载流子掺杂剂，及

掩埋层，其包含第二导电类型的多数载流子掺杂剂；

金属化结构，其在所述半导体表面层上延伸；及

隔离结构，其包含：

第一沟槽，其延伸通过所述半导体结构到所述掩埋层，

第一电介质衬层，其沿着所述第一沟槽的侧壁从所述半导体表面层延伸到所述掩埋层，

第一多晶硅，其包含所述第一导电类型的多数载流子掺杂剂，所述第一多晶硅在所述第一电介质衬层内部延伸且填充所述第一沟槽到所述半导体表面层的顶侧，

第一深掺杂区域，其包含所述第二导电类型的多数载流子掺杂剂，所述第一深掺杂区域环绕所述第一沟槽且从所述半导体表面层延伸到所述掩埋层，及

所述金属化结构的第一导电特征，其将所述第一多晶硅连接到所述第一深掺杂区域。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：

电容器，其包含：

第二沟槽，其延伸通过所述半导体结构到所述掩埋层，

第二电介质衬层，其沿着所述第二沟槽的侧壁从所述半导体表面层延伸到所述掩埋层，

第二多晶硅，其包含所述第一导电类型的多数载流子掺杂剂，所述第二多晶硅在所述第二电介质衬层内部延伸且填充所述第二沟槽到所述半导体表面层的顶侧，

第二深掺杂区域，其包含所述第二导电类型的多数载流子掺杂剂，所述第二深掺杂区域环绕所述第二沟槽且从所述半导体表面层延伸到所述掩埋层，

所述金属化结构的第二导电特征，其连接到所述第二多晶硅以形成第一电容器极板，及

所述金属化结构的另外导电特征，其连接到所述第二深掺杂区域以形成第二电容器极板。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第一沟槽具有第一深度，其中所述第二沟槽具有第二深度，且其中所述第一深度大于所述第二深度。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第一沟槽具有第一宽度，其中所述第二沟槽具有第二宽度，且其中所述第一宽度大于所述第二宽度。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第一沟槽具有第一宽度，其中所述第二沟槽具有第二宽度，且其中所述第一宽度大于所述第二宽度。

6.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中所述第一电介质衬层包含：

第一氧化物层，其沿着所述第一沟槽的所述侧壁从所述半导体表面层延伸到所述掩埋层，

氮化物层，其沿着所述第一氧化物层从所述半导体表面层延伸到所述掩埋层，及

第二氧化物层，其沿着所述氮化物层从所述半导体表面层延伸到所述掩埋层；且

其中所述第二电介质衬层包含：

第三氧化物层，其沿着所述第二沟槽的所述侧壁从所述半导体表面层延伸到所述掩埋层，

第二氮化物层，其沿着所述第三氧化物层从所述半导体表面层延伸到所述掩埋层，及

第四氧化物层，其沿着所述第二氮化物层从所述半导体表面层延伸到所述掩埋层。

7.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述电容器包括：

多个第二沟槽，其延伸通过所述半导体结构到所述掩埋层，所述第二沟槽中的每一者由所述第二深掺杂区域环绕且包含：

对应第二电介质衬层，其沿着所述第二沟槽的侧壁从所述半导体表面层延伸到所述掩埋层，及

对应第二多晶硅，其包含所述第一导电类型的多数载流子掺杂剂，所述第二多晶硅在所述第二电介质衬层内部延伸且填充所述第二沟槽到所述半导体表面层的顶侧。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述电容器进一步包括浅植入区域，所述浅植入区域具有所述第二导电类型的多数载流子掺杂剂且在所述半导体表面层中延伸于所述第二深掺杂区域内的所述多个第二沟槽之间。