[发明专利]用于沉积钨薄膜或钼薄膜的方法

权利要求书

1.一种用于在衬底上形成金属薄膜的沉积方法，所述方法包括：

使气态前驱物流入到沉积腔室中并使所述气态前驱物暴露于衬底以沉积所述金属到所述衬底上来形成沉积的金属层，所述有机金属前驱物包括金属及一或多种含碳配体，其中所述金属是钼或钨，

使氧化剂流入到所述沉积腔室中以使所述沉积的金属层暴露于所述氧化剂。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积的金属层包含源自所述有机金属前驱物的碳作为污染物，且使所述沉积的金属层暴露于所述氧化剂的所述步骤允许所述氧化剂与所述碳污染物反应并从所述沉积的金属层去除所述碳污染物。

3.根据权利要求1所述的方法，其中与通过相同方法但不使氧化剂流入到所述沉积腔室中而制备的可相比的金属薄膜相比，所述金属薄膜的含碳量减少。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述有机金属前驱物是选自：含羰基的前驱物、含环戊二烯基的前驱物、芳基前驱物、烷基取代的芳基前驱物、含酰胺-酰亚胺的前驱物及脒化物或胍化物前驱物。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述前驱物是选自双(乙基苯)钼及双(乙基苯)钨。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在沉积所述金属到所述衬底上期间，所述衬底是处在低于摄氏400度的温度下。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法是脉冲化学气相沉积方法，所述方法包括：

使所述气态前驱物及还原性气体共反应物连续地流入到所述沉积腔室中以使所述衬底暴露于所述气态前驱物及所述还原性气体共反应物，以沉积所述金属到所述衬底上来形成包括所述金属及源自所述前驱物的碳的沉积的金属层，及

通过脉冲流使所述氧化剂流入到所述沉积腔室中以使所述沉积的金属层及所述碳暴露于所述氧化剂以使所述氧化剂与所述碳反应并从所述沉积的金属层去除所述碳。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述方法产生具有不超过50埃的厚度的沉积的金属层。

9.根据权利要求7所述的方法，其包括在使所述沉积的金属及所述碳暴露于所述氧化剂之后，使氢气流入到所述沉积腔室中。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法是原子层沉积方法，所述方法包括：

使所述气态前驱物流入到所述沉积腔室中以任选地在惰性气体存在时使所述衬底暴露于所述金属蒸气，沉积所述金属到所述衬底上来形成包括所述金属及源自所述前驱物的碳的沉积的金属层，及

使氧化剂流入到所述沉积腔室中以使所述沉积的金属及所述碳暴露于所述氧化剂，以使所述氧化剂与碳反应并从所述沉积的金属层去除所述碳。

11.根据权利要求10所述的方法，其包括在使所述沉积的金属层及所述碳暴露于所述氧化剂之后，使氢流入到所述沉积腔室中以使所述沉积的金属暴露于氢。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述衬底包括部分制造的集成电路。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述衬底包括电介质层或成核层，且所述金属蒸气沉积到所述电介质层或所述成核层上。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述金属层经沉积为选自互连件、接触件及电极的结构。