[发明专利]用于光纤的卤素共掺杂的纤芯和光纤的制造方法在审
| 申请号： | 201980065826.7 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN112805253A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | D·C·布克班德;S·B·道斯;P·迪普;B·L·哈珀;P·坦登 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | C03B37/014 | 分类号： | C03B37/014;C03B20/00;C03C13/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐鑫;项丹 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 光纤 卤素 掺杂 制造 方法 | ||
1.一种形成光纤的方法，其包括：
将烟炱纤芯预制件暴露于压力为1.5atm至40atm的掺杂剂气体，所述烟炱纤芯预制件包含二氧化硅，所述掺杂剂气体包含第一卤素掺杂前体和第二卤素掺杂前体，所述第一卤素掺杂前体以第一卤素掺杂剂对烟炱纤芯预制件进行掺杂，以及所述第二卤素掺杂前体以第二卤素掺杂剂对烟炱纤芯预制件进行掺杂；以及
对烟炱纤芯预制件进行烧结以形成经卤素掺杂的闭孔体，所述经卤素掺杂的闭孔体的所述第一卤素掺杂剂和所述第二卤素掺杂剂的总浓度是大于2.0重量％。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一卤素掺杂剂是Cl。
3.如权利要求2所述的方法，其中，在经卤素掺杂的闭孔体中，Cl掺杂剂的卤素共掺杂比是20％至90％。
4.如权利要求2所述的方法，其中，所述第二卤素掺杂剂是Br。
5.如权利要求1-4中任一项所述的方法，其中，所述第一卤素掺杂剂和所述第二卤素掺杂剂的总浓度是3.0重量％至8.0重量％。
6.如权利要求1-5中任一项所述的方法，其中，在1300℃至1550℃的温度执行烟炱纤芯预制件的暴露。
7.如权利要求1-6中任一项所述的方法，其中，烟炱纤芯预制件基本不含Ge。
8.如权利要求1-7中任一项所述的方法，其中，掺杂剂气体的压力是约3atm至约30atm。
9.如权利要求1-7中任一项所述的方法，其中，掺杂剂气体的压力是约5atm至约20atm。
10.如权利要求1-9中任一项所述的方法，其中，掺杂剂气体中所述第一卤素掺杂前体的分压是1.5atm至40atm。
11.如权利要求10所述的方法，其中，掺杂剂气体中所述第二卤素掺杂前体的分压是1.5atm至40atm。
12.如权利要求1-11中任一项所述的方法，其中，经卤素掺杂的闭孔体的相对折射率是0.10％至0.50％。
13.一种形成光纤的方法，其包括：
将烟炱纤芯预制件暴露于压力是约1.5atm至约40atm的掺杂剂气体，所述烟炱纤芯预制件包含二氧化硅，所述掺杂剂气体包含Cl掺杂前体和第二卤素掺杂前体，所述Cl掺杂前体以Cl掺杂剂对烟炱纤芯预制件进行掺杂，以及所述第二卤素掺杂前体以第二卤素掺杂剂对烟炱纤芯预制件进行掺杂；以及
对烟炱纤芯预制件进行烧结以形成经卤素掺杂的闭孔体，所述经卤素掺杂的闭孔体的所述Cl掺杂剂和所述第二卤素掺杂剂的总浓度是至少2.0重量％，其中，所述Cl掺杂剂的卤素共掺杂比是20％至90％。
14.如权利要求13所述的方法，其中，在经卤素掺杂的闭孔体中，Cl掺杂剂的卤素共掺杂比是20％至80％。
15.如权利要求13所述的方法，其中，在经卤素掺杂的闭孔体中，Cl掺杂剂的卤素共掺杂比是20％至60％。
16.如权利要求13-15中任一项所述的方法，其中，以压力是约3atm至约30atm的掺杂剂气体对烟炱纤芯预制件进行掺杂。
17.如权利要求13-16中任一项所述的方法，其中，经卤素掺杂的闭孔体的相对折射率是0.10％至0.50％。
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