[发明专利]多路复用的基于高TCR的安瓿加热器在审
| 申请号: | 201980062821.9 | 申请日: | 2019-09-19 |
| 公开(公告)号: | CN112753097A | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
| 发明(设计)人: | 拉梅什·钱德拉塞卡拉 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;张静 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 多路复用 基于 tcr 安瓿 加热器 | ||
1.一种用于加热衬底处理系统的部件的系统,其包含:
多个加热器,其被设置于沿流体流动路径的多个位置处,所述流体流动路径从流体源至所述衬底处理系统中的目的地;以及
控制器,其被配置成:
将所述多个加热器分组为多个加热器群组,每个加热器群组包含所述多个加热器中的至少一者;
确定待在所述多个加热器群组之间维持的温度梯度;
从所述多个加热器群组中选择加热器群组;并且
控制供应至所选择的所述加热器群组的功率,以在所述多个加热器群组之间维持所述温度梯度。
2.根据权利要求1所述的系统,其中所述控制器被配置成基于从所述流体源至所述衬底处理系统中的所述目的地的所述流体流动路径中的所述部件的几何构造,而将所述多个加热器分组为所述多个加热器群组,且其中所述部件包含管道和阀。
3.根据权利要求1所述的系统,其中所述多个加热器中的每一者具有随温度而变化的电阻,且其中所述控制器被配置成:
测量所选择的所述加热器群组中的加热器的电阻;
基于所选择的所述加热器群组中的所述加热器的电阻,确定所选择的所述加热器群组中的所述加热器的温度;并且
基于所确定的所选择的所述加热器群组中的所述加热器的温度以及所述温度梯度,控制供应至所选择的所述加热器群组的功率。
4.根据权利要求1所述的系统,其中所述多个加热器中的每一者具有随温度而变化的电阻,且其中所述控制器被配置成:
基于待在所述多个加热器群组之间维持的所述温度梯度,确定所选择的所述加热器群组中的加热器的期望温度;
基于所选择的所述加热器群组中的所述加热器的所述期望温度,确定所选择的所述加热器群组中的所述加热器的期望电阻值;
测量所选择的所述加热器群组中的所述加热器的电阻;并且
基于所测量的所选择的所述加热器群组中的所述加热器的电阻,控制供应至所选择的所述加热器群组的功率,直到所选择的所述加热器群组中的所述加热器具有所述期望电阻值为止。
5.根据权利要求1所述的系统,其中所述多个加热器中的每一者具有随温度而变化的电阻,且其中所述控制器被配置成:
基于待在所述多个加热器群组之间维持的所述温度梯度,确定所选择的所述加热器群组中的加热器与所述多个加热器群组中的另一加热器群组的期望温度;
基于所选择的所述加热器群组中的所述加热器的所述期望温度,确定所选择的所述加热器群组中的所述加热器与所述另一加热器群组中的加热器的期望电阻值;
确定所选择的所述加热器群组中的所述加热器的所述期望电阻值与所述另一加热器群组中的所述加热器的所述期望电阻值之间的比率;
测量所选择的所述加热器群组中的所述加热器的电阻;并且
基于所测量的所选择的所述加热器群组中的所述加热器的电阻,控制供应至所选择的所述加热器群组的功率,以维持所选择的所述加热器群组中的所述加热器的所述期望电阻值与所述另一加热器群组中的所述加热器的所述期望电阻值之间的所述比率。
6.根据权利要求1所述的系统,其还包含:
温度传感器,其被配置成感测所述源中的流体的温度,
其中所述控制器被配置成在所述温度大于第一阈值或小于第二阈值时使所述系统停止,其中所述第一阈值大于所述第二阈值,以确保所述系统在所述温度介于所述第一阈值与所述第二阈值之间时进行操作。
7.根据权利要求1所述的系统,其还包含:
电流传感器,其用于感测供应至所述多个加热器中的每一者的电流,
其中所述控制器被配置成基于所述电流而确定所述多个加热器中的每一者的电阻。
8.根据权利要求1所述的系统,其还包含:
电压传感器,其用于感测供应至所述多个加热器中的每一个的电压,
其中所述控制器被配置成基于所述电压而确定所述多个加热器中的每一者的电阻。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





