[发明专利]磁阻叠堆器件的制造方法

权利要求书

1.一种制造磁阻器件的方法，包含：

形成导电区域；

在导电区域的一侧上形成第一晶种区域；

通过将第一晶种区域的表面暴露于气体来对该表面进行处理；

在经处理的第一晶种区域的表面上形成第二晶种区域；和

在第二晶种区域的一侧上形成磁性固定的区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中处理所述第一晶种区域的表面包含将所述表面暴露于基本上纯的氧气。

3.根据权利要求1所述的方法，其中处理所述第一晶种区域的表面包含将所述表面暴露于在其他气体中有约2-80％的氧气的混合物。

4.根据权利要求1所述的方法，其中处理所述第一晶种区域的表面包含在小于或等于约10毫乇的压力下将所述表面暴露于氧气。

5.根据权利要求1所述的方法，其中处理所述第一晶种区域的表面包含在约0.01和10毫乇之间的压力下将所述表面暴露于气体。

6.根据权利要求1所述的方法，其中处理所述第一晶种区域的表面包含将所述表面暴露于气体小于或等于约50秒的时间段。

7.根据权利要求1所述的方法，其中处理所述第一晶种区域的表面包含在低于或等于约35摄氏度的温度下将所述表面暴露于氧气小于或等于约50秒的时间段。

8.根据权利要求1所述的方法，其中处理所述第一晶种区域的表面包含将所述表面暴露于氧气而不引起真空破坏。

9.根据权利要求1所述的方法，其中处理所述第一晶种区域的表面包含在具有低温泵或冷阱的腔室中将所述表面暴露于氧气。

10.根据权利要求1所述的方法，其中处理所述第一晶种区域的表面在用于形成所述第一晶种区域的同一沉积室中进行。

11.一种制造磁阻器件的方法，包含：

形成导电区域；

在导电区域的一侧上形成经组成调整的晶种区域，其中形成经组成调整的晶种区域包含：

沉积第一晶种区域；和

在第一晶种区域的沉积过程中添加气体；

在经组成调整的晶种区域的一侧上形成磁性固定的区域。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述气体是氧气和氮气中的一种。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一晶种区域包含镍、铬、钴和铁中的一种或多种。

14.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述经组成调整的晶种区域进一步包含：

沉积第二晶种区域。

15.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述经组成调整的晶种区域进一步包含：

沉积第二晶种区域，其中第一晶种区域和第二晶种区域中的每一个包含镍、铬、钴和铁中的一种或多种。

16.一种制造磁阻器件的方法，包含：

形成导电区域；

在导电区域的一侧上形成经组成调整的晶种区域，其中形成经组成调整的晶种区域包含：

沉积第一晶种区域；和

在第一晶种区域的沉积过程中添加一种或多种原子元素；

在经组成调整的晶种区域的一侧上形成磁性固定的区域。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述一种或多种原子元素包含硼和碳中的一种或多种。

18.根据权利要求16所述的方法，其中在所述第一晶种区域的沉积过程中添加一种或多种原子元素包含同时溅射所述第一晶种区域和一种或多种原子元素。