[发明专利]图像传感器及搭载图像传感器的成像装置在审
| 申请号: | 201980059918.4 | 申请日: | 2019-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN112805993A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
| 发明(设计)人: | 徐泽;肖琳;占世武 | 申请(专利权)人: | 深圳市大疆创新科技有限公司 |
| 主分类号: | H04N5/369 | 分类号: | H04N5/369;H01L27/146 |
| 代理公司: | 深圳市力道知识产权代理事务所(普通合伙) 44507 | 代理人: | 何姣 |
| 地址: | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图像传感器 搭载 成像 装置 | ||
1.一种图像传感器,包括像素阵列,所述像素阵列包括多个像素,其特征在于,所述像素包括:
光敏元件,用于接收光子以生成光生电子;
浮置扩散区,用于接收所述光生电子以产生曝光电压信号;
传输管,能够受控导通或关断以连通或断开所述光敏元件和所述浮置扩散区;
复位管,连接于所述传输管的远离所述浮置扩散区的一端和所述光敏元件,能够受控导通或关断,且在导通时将所述光敏元件连接于高电平;
电压输出电路,连接于所述浮置扩散区,用于将所述浮置扩散区的电压信号传输至外围电路;
其中,在所述复位管和所述传输管受控导通而使所述光敏元件和所述浮置扩散区连接于高电平复位之后,所述复位管和所述传输管受控关断且所述光敏元件接收光子以生成光生电子,以及在所述传输管受控导通时所述浮置扩散区接收所述光生电子产生曝光电压信号。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述复位管和所述传输管受控导通,包括:
所述复位管先受控导通,然后所述传输管受控导通。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,其特征在于,所述复位管和所述传输管受控关断,包括:
所述传输管先受控关断,然后所述传输管受控关断。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,在所述传输管受控导通以使所述浮置扩散区接收所述光生电子产生曝光电压信号之后,所述传输管受控关断,且所述电压输出电路将所述浮置扩散区的曝光电压信号传输至外围电路。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的图像传感器,其特征在于,所述传输管的源极连接所述光敏元件,所述传输管的漏极连接所述浮置扩散区,所述传输管的栅极置为高电平时所述传输管导通,置为低电平时所述传输管关断。
6.根据权利要求5所述的图像传感器,其特征在于,所述复位管的漏极连接高电平,所述复位管的源极连接所述传输管的源极,所述复位管的栅极置为高电平时所述复位管导通,置为低电平时所述复位管关断。
7.根据权利要求5所述的图像传感器,其特征在于,所述电压输出电路包括:
行选通管,所述行选通管的源极连接所述外围电路,所述行选通管的漏极连接所述传输管的漏极和所述浮置扩散区;
在所述传输管受控导通以使所述浮置扩散区接收所述光生电子产生曝光电压信号之前,所述行选通管导通以使所述电压输出电路输出参考电压至所述外围电路。
8.根据权利要求7所述的图像传感器,其特征在于,所述外围电路根据所述曝光电压信号和所述参考电压之间的差值确定所述像素的感应电压。
9.根据权利要求7所述的图像传感器,其特征在于,所述电压输出电路还包括源跟随器;
所述行选通管的漏极通过所述源跟随器连接所述浮置扩散区;
所述源跟随器导通时使所述浮置扩散区的曝光电压信号经由所述源跟随器和所述行选通管传输至所述外围电路。
10.根据权利要求9所述的图像传感器,其特征在于,所述源跟随器的源极连接所述行选通管的漏极,所述源跟随器的栅极连接所述传输管的漏极和所述浮置扩散区,所述源跟随器的漏极置为高电平时所述浮置扩散区的曝光电压信号经由所述源跟随器传输至所述行选通管的漏极。
11.根据权利要求10所述的图像传感器,其特征在于,所述电压输出电路将所述浮置扩散区的曝光电压信号传输至外围电路之后,所述源跟随器的漏极置为低电平以使所述源跟随器关断。
12.根据权利要求1-4中任一项所述的图像传感器,其特征在于,所述复位管、所述传输管均被构造为连接于所述光敏元件上,所述复位管与所述传输管间隔设置。
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