[发明专利]利用外部压力触发进行脉冲气体输送的方法和设备在审
| 申请号: | 201980058333.0 | 申请日: | 2019-08-20 |
| 公开(公告)号: | CN112654733A | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
| 发明(设计)人: | M·勒巴塞伊;M·J·夸拉提洛;丁军华 | 申请(专利权)人: | 万机仪器公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;G05D7/06 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 王小东;黄纶伟 |
| 地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 利用 外部 压力 触发 进行 脉冲 气体 输送 方法 设备 | ||
一种用于流体的脉冲输送的流体控制系统以及关联方法,包括截止阀以及位于该截止阀上游的质量流量控制器(MFC)。该MFC包括:流道、对流道中的流体流量进行控制的控制阀、对流道中的流率进行测量的流量传感器,以及控制器,该控制器具有来自截止阀的指示该截止阀的打开的阀输入。该控制器被配置成,响应于阀输入来对通过控制阀的流体流量进行控制,以发起和终止从流道到截止阀的流体脉冲,从而对流体脉冲期间输送的流体质量进行控制。该阀输入可以是压力信号,并且该MFC可以包括对压力信号进行感测的压力传感器。
相关申请
本申请是2018年9月7日提交的美国申请No.16/124,669的继续申请。上述申请的全部教导通过引用并入本文。
背景技术
质量流量控制器(mass flow controller(MFC))是一种用于测量和控制液体和气体的流量的装置。一般而言,MFC包括入口、出口、质量流量传感器以及比例控制阀,该比例控制阀可进行调节以实现期望的质量流量。
诸如原子层淀积(ALD)工艺的半导体制造工艺可以涉及在几个处理步骤期间以各种量输送几种不同的气体和气体混合物。通常,将气体贮存在处理设施处的储罐中,并且使用气体计量系统来将定量的气体从储罐输送至处理工具,诸如化学气相淀积反应器、真空溅射机、等离子蚀刻机等。典型地,将诸如阀、压力调节器、MFC、质量流量比控制系统等的组件包括在气体计量系统中或者包括在从气体计量系统到处理工具的流径中。
已经开发出脉冲气体输送装置,以将气体的脉冲化质量流量输送至半导体工艺工具。
发明内容
一种用于流体的脉冲输送的流体控制系统包括:截止阀以及位于该截止阀上游的质量流量控制器(MFC)。该MFC包括:流道、对流道中的流体流量进行控制的控制阀、对流道中的流率(flow rate)进行测量的流量传感器、以及控制器,该控制器具有来自截止阀的阀输入,该阀输入指示截止阀的打开。该控制器被配置成,响应于阀输入来对通过控制阀的流体流量进行控制,以发起和终止从流道到截止阀的流体脉冲,从而对流体脉冲期间输送的流体质量进行控制。
MFC可以是基于压力的MFC或热MFC。控制阀优选为比例阀,该比例阀产生与控制输入(例如,来自主机控制器的电子控制输入)成比例的流量输出。可以将比例控制阀用于对穿过阀孔的流体流量进行控制。在MFC中使用的典型比例阀包括但不限于电磁阀和压电阀。MFC的控制器可以在流体脉冲期间基于来自流量传感器的反馈,对通过控制阀的流体流量进行控制。
位于MFC下游的截止阀可以是快速响应的气动控制阀。该阀可以是联接至工艺腔和转移管线(divert line)的三通阀。截止阀可以通过主机控制器进行控制。
MFC的阀输入可以是压力信号,并且该MFC可以包括对压力信号进行感测的压力传感器。压力传感器可以经由接进气动管线的分接头接收压力信号,该管线中的压力使截止阀打开和关闭。通常,压力传感器可以经由通过主机控制器控制的气动管线来接收压力信号。
在阀输入是压力信号的情况下,可以将MFC的控制器配置成,将压力信号的上升沿转换成开始脉冲气体输送的触发信号。
可以将MFC的控制器配置成,根据流量设定点QSP和脉冲开启(pulse-on)时段Δt来计算摩尔设定点nSP。摩尔设定点nSP是要在流体脉冲期间输送的流体质量的目标量。脉冲开启时段Δt可以是在MFC中存储的默认值,并且流量设定点QSP可以是从主机控制器接收的。MFC可以是可编程的,以从所存储的默认值改变脉冲开启时段Δt。
可以将MFC的控制器配置成,按照下式,根据流量设定点QSP和脉冲开启时段Δt来计算摩尔设定点nSP:
nSP=0.744*QSP*Δt (1)。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





