[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序

说明书

本发明提供一种技术，具有：对收纳在处理室内的基板供给原料气体的第一气体供给工序；以及对基板供给反应气体的第二气体供给工序，交替地进行第一气体供给工序和第二气体供给工序而在基板上形成膜，在第二气体供给工序中，从供给反应气体的反应气体供给系统对基板供给反应气体，并且以反应气体容易到达基板的中心部的方式，从与反应气体供给系统不同的供给系统对基板供给惰性气体。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序。

背景技术

以往开发了在硅晶圆等基板上形成薄膜来制造半导体装置的基板处理装置和半导体装置的制造方法。

例如，已知一种半导体装置的制造方法：向收纳基板的处理室依次供给原料气体、和与原料气体进行反应的反应气体，从而在处理室内收纳的基板上形成膜(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014－127702号公报

发明内容

发明所要解决的课题

如专利文献1所示，当向处理室内依次供给原料气体、和与原料气体进行反应的反应气体，从而在处理室内收纳的基板上形成膜时，要求提高在基板上形成的膜的面内均匀性。

本发明的目的在于提供如下技术：在向处理室内收纳的基板交替地供给原料气体和反应气体而在基板的表面形成膜的情况下，提高膜的面内均匀性。

用于解决课题的方案

解决上述课题的具体方案如下。

根据本发明的一个方案，提供一种技术，具有：

对收纳在处理室内的基板供给原料气体的第一气体供给工序；以及

对上述基板供给反应气体的第二气体供给工序，

交替地进行上述第一气体供给工序和上述第二气体供给工序而在上述基板上形成膜，在上述第二气体供给工序中，从供给上述反应气体的反应气体供给系统对上述基板供给上述反应气体，并且以上述反应气体容易到达上述基板的中心部的方式，从与上述反应气体供给系统不同的供给系统对上述基板供给惰性气体。

发明的效果

根据本发明，可提供如下技术：在对处理室内收纳的基板交替地供给原料气体和反应气体而在基板的表面形成膜的情况下，能够提高膜的面内均匀性。

附图说明

图1是概要表示第一实施方式的基板处理装置的立式处理炉的纵剖视图。

图2是沿着图1中的A-A线的概要横剖视图。

图3是第一实施方式的基板处理装置的控制器的概要结构图，且为以框图表示控制器的控制系统的图。

图4是表示第二气体供给工序中的相对于臭氧气体的供给量而言氮气的供给量过多的情况下的膜厚的面内分布的图。

图5是表示第二气体供给工序中的相对于臭氧气体的供给量而言氮气的供给量过少的情况下的膜厚的面内分布的图。

图6是表示第二气体供给工序中的相对于臭氧气体的供给量使氮气的供给量发生变化时的膜厚的面内分布的图。

图7是表示第二实施方式的基板处理装置的立式处理炉中的供给气体的喷嘴的配置的概要横剖视图。

图8是表示第三实施方式的基板处理装置的立式处理炉中的供给气体的喷嘴的配置的概要横剖视图。

图9是表示第四实施方式的基板处理装置的立式处理炉中的供给气体的喷嘴的配置的概要横剖视图。