[发明专利]光纤线路、模块及光纤线路制造方法

权利要求书

1.一种光纤线路，具有：

高非线性光纤，其包括：芯部，包围所述芯部并且具有比所述芯部的折射率低的折射率的凹陷部，和包围所述凹陷部并且具有比所述芯部的折射率低且比所述凹陷部的折射率高的折射率的包层，

单模光纤，其与所述高非线性光纤熔融连接，并且包括：芯部，和包围所述芯部并且具有比所述芯部的折射率低的折射率的包层，以及

MFD转变部，其由在所述高非线性光纤和所述单模光纤的熔接点对接的所述高非线性光纤和所述单模光纤二者的端部构成，并且被规定为在沿光纤长度方向100μm距离上所使用波长的模场直径以最大值与最小值之差为0.3μm以上的方式变化的区间，

所述高非线性光纤与所述单模光纤在1550nm波长的连接损耗是理想对接损耗的五分之一以下，所述理想对接损耗是基于所述高非线性光纤和所述单模光纤二者的所述MFD转变部以外的恒定部在1550nm波长的模场直径间的失配而计算得到的，

所述MFD转变部的沿着所述光纤长度方向规定的全长为10mm以下，

在所述高非线性光纤的所述端部中位于所述熔接点的第一面和距所述第一面50μm以上且300μm以下的第二面之间的区域中，所述使用波长的模场直径从所述第二面向所述第一面单调增大，

在所述高非线性光纤的所述端部中所述第一面和距所述第一面50μm的所述第二面之间的所述区域中，氟的扩散速度v_F与GeO₂的扩散速度v_G之比(v_F/v_G)为22以上且40以下。

2.根据权利要求1所述的光纤线路，其中，

所述高非线性光纤由石英玻璃构成，

在所述高非线性光纤的所述恒定部中，所述芯部不含有作为在1550nm波长使玻璃折射率降低的掺杂物的折射率降低剂，而含有作为在1550nm波长使所述玻璃折射率升高的掺杂物的折射率升高剂，所述凹陷部不含有所述折射率升高剂而含有所述折射率降低剂，所述包层不含所述折射率降低剂。

3.根据权利要求2所述的光纤线路，其中，

在所述高非线性光纤的所述恒定部中，所述芯部含有作为所述折射率升高剂的GeO₂，所述凹陷部含有作为所述折射率降低剂的面积浓度为0.4×10⁶ppm·μm²以上且3.2×10⁶ppm·μm²以下的氟。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的光纤线路，其中，

在所述高非线性光纤的所述端部中，所述高非线性光纤的所述包层的外径从所述高非线性光纤的所述恒定部向所述单模光纤的所述恒定部单调地减小或增大。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的光纤线路，其中，

所述MFD转变部的所述全长为2mm以下，

所述MFD转变部中构成所述高非线性光纤的一部分的部分沿所述光纤长度方向规定的长度为1.5mm以下。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的光纤线路，其中，

所述单模光纤是符合ITU-T的G.657.A1标准的光纤。