[发明专利]用于涂覆至少一个金属构件的方法

权利要求书

1.用于涂覆至少一个金属构件的方法，其中，所述方法在具有HiPIMS组件和通过ECR等离子体源在脉冲操作模式中运行的等离子体浸没植入组件的过程腔中运行，所述方法具有下列方法步骤：

a)将所述至少一个构件作为三维衬底引入(110)到构造为真空腔的所述过程腔中，

b)根据当前要构造的层类型选择(120)所述组件中的一个组件，

c)激活(130)所选择的组件，以便构造具有预先确定的层厚度的层，并且

d)重复方法步骤b)至c)，直至在所述构件上分别构造不同层类型的层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在选择(120)和/或激活(130)所述等离子体浸没植入组件时将至少一种用作为前体的气体以掺杂的方式导入到所述真空腔中。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在方法步骤c)期间，所述至少一个构件通过对应于所选择和激活的组件的脉冲发生器的高压脉冲在配属于所述至少一个构件的衬底支架没有电中间连接的情况下受到电加载。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在方法步骤c)期间，所述至少一个构件在所述真空腔中至少暂时地运动。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在方法步骤c)期间，所述至少一个构件围绕至少一个旋转轴线至少暂时地旋转。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述至少一个金属构件构造为喷射嘴的至少一个喷嘴体。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述气体是气体混合物。

8.构件，所述构件根据权利要求1至7中任一项所述的方法涂覆。

9.一种用于涂覆至少一个金属构件的设备，所述设备用于实施根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，构造为真空腔(21)的过程腔具有HiPIMS组件(22)和通过ECR等离子体源在脉冲操作模式中运行的等离子体浸没植入组件(23)，并且与这两个组件(22、23)共同作用的控制和协调装置(24)设置成用于根据当前要构造的层类型选择、激活并且控制这两个组件(22、23)中的一个组件。

10.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，所述控制和协调装置(24)在所选择的组件(22、23)中将对应于所选择的组件的脉冲发生器(22'、23')在高压输出侧与所述至少一个构件直接电连接。

11.一种用于涂覆至少一个金属构件的批量设施，所述批量设施包括根据权利要求9或10所述的设备。