[发明专利]生成含金属或半金属膜的方法

权利要求书

1.一种制备含金属或半金属的膜的方法，包括：

(a)将含金属或半金属化合物由气态沉积至固体基材上，和

(b)使沉积有含金属或半金属化合物的固体基材与通式(II)、(III)或(IV)化合物接触：

其中E为Ge或Sn，

R为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，

R’为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，

X为空、氢、卤化物、烷基、亚烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、氨基、脒化物基团或胍化物基团，

L为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，其中通式(II)化合物为通式(IIa)、(IIc)、(IIf)或(IIg)的化合物

其中R’为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基。

2.根据权利要求1的方法，其中通式(III)化合物为通式(IIIa)或(IIIb)的化合物：

3.根据权利要求1的方法，其中通式(IV)化合物为通式(IVa)或(IVb)的化合物：

4.根据权利要求1的方法，其中R在1-位上不具有氢原子。

5.根据权利要求2的方法，其中R在1-位上不具有氢原子。

6.根据权利要求3的方法，其中R在1-位上不具有氢原子。

7.根据权利要求1-6中任一项的方法，其中通式(II)、(III)或(IV)的化合物的分子量不超过600g/mol。

8.根据权利要求1-6中任一项的方法，其中通式(II)、(III)或(IV)的化合物在200℃的温度下具有至少1毫巴的蒸气压。

9.根据权利要求7的方法，其中通式(II)、(III)或(IV)的化合物在200℃的温度下具有至少1毫巴的蒸气压。

10.根据权利要求1-6中任一项的方法，其中(a)和(b)连续进行至少两次。

11.根据权利要求9的方法，其中(a)和(b)连续进行至少两次。

12.根据权利要求1-6中任一项的方法，其中含金属或半金属的化合物包含Ti、Ta、Mn、Mo、W、Ge、Ga、As或Al。

13.根据权利要求11的方法，其中含金属或半金属的化合物包含Ti、Ta、Mn、Mo、W、Ge、Ga、As或Al。

14.根据权利要求1-6中任一项的方法，其中金属或半金属化合物为金属或半金属卤化物。

15.根据权利要求13的方法，其中金属或半金属化合物为金属或半金属卤化物。

16.根据权利要求1-6中任一项的方法，其中通过加热至20-200℃的温度而使含金属或半金属的化合物和通式(II)、(III)或(IV)化合物变成气态。

17.根据权利要求15的方法，其中通过加热至20-200℃的温度而使含金属或半金属的化合物和通式(II)、(III)或(IV)化合物变成气态。

18.根据权利要求1-6中任一项的方法，其中含金属或半金属的膜是金属或半金属膜、金属或半金属氮化物膜、金属或半金属碳化物膜、金属或半金属碳氮化物膜、金属或半金属合金膜或金属间化合物膜。

19.根据权利要求17的方法，其中含金属或半金属的膜是金属或半金属膜、金属或半金属氮化物膜、金属或半金属碳化物膜、金属或半金属碳氮化物膜、金属或半金属合金膜或金属间化合物膜。