[发明专利]半导体元件和半导体装置

说明书

半导体元件具备元件主体和主面电极。上述元件主体具有朝向厚度方向的主面。上述主面电极与上述元件主体导通。上述主面电极具有第一部和多个第二部。上述第一部在上述主面上设置。上述多个第二部与上述第一部相接地设置，并且在相对于上述厚度方向正交的方向上彼此远离。沿着上述厚度方向来看，上述多个第二部的合计面积比包含与上述多个第二部重叠的部分的上述第一部的面积小。

技术领域

本公开涉及一种构成有开关电路的半导体元件和具备该半导体元件的半导体装置。

背景技术

构成有MOSFET、IGBT等开关电路的半导体元件、和搭载有该半导体元件的半导体装置已经广为公知。专利文献1公开了一例半导体装置，其搭载有作为MOSFET的半导体元件。

该半导体装置所搭载的半导体元件具备：设置于朝向厚度方向的表面并且流通源极电流的主电极；以及与主电极电接合的金属制的导电部件。从厚度方向来看，主电极的面积占据了半导体元件的面积的大半。导电部件例如是铜与因瓦合金(铁镍合金)层叠而成的结构。另一方面，该半导体装置具备与导电部件接合的多个铜引线。导电部件和多个铜引线的导热率较大。由此，由于能够使铜引线与导电部件接合，并且进一步提高半导体元件的散热性，因此能够使半导体元件中所构成的开关电路的接通电阻降低。相应地，能够使开关电路对浪涌电压的耐性提高。

但是，就该半导体元件而言，在其制造过程中有时会产生相对于厚度方向而言呈凹状的翘曲。该现象被认为是由于导电部件的热膨胀率大于半导体元件的主成分即硅的热膨胀率而受到了温度所引起的导电部件的体积变化的影响。当半导体元件中产生这种翘曲时，则有可能导致在向晶片焊垫等配线部件搭载半导体元件时，半导体元件相对于配线部件的接合强度降低。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2015－142059号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本公开针对上述情况，其课题在于，提供一种能够提高散热性并抑制翘曲的半导体元件、以及搭载有该半导体元件的半导体装置。

用于解决课题的方案

本公开的第一方案所提供的半导体元件具备：元件主体，其具有朝向厚度方向的主面；以及主面电极，其与上述元件主体导通，上述主面电极具有：第一部，其设置在上述主面上；以及多个第二部，其与上述第一部相接地设置，并且在相对于上述厚度方向正交的方向上彼此远离，沿着上述厚度方向观察，上述多个第二部的合计面积比包含与上述多个第二部重叠的部分的上述第一部的面积小。

本公开的第二方案所提供的半导体装置具备相对于本公开的第一方案所提供的半导体元件而言，还具备与上述元件主体导通的背面电极的半导体元件。该半导体装置还具备：搭载该半导体元件的晶片焊垫、介于上述晶片焊垫与上述背面电极之间并且具有导电性的接合层、从上述晶片焊垫远离的端子、以及与上述主面电极的上述多个第二部的任一个和上述端子接合的引线，上述引线的成分包含铜。

本公开的其它特征和优点可通过基于附图进行的以下详细说明而更加清楚。

附图说明

图1是本公开第一实施方式的半导体元件的俯视图。

图2是图1所示半导体元件的俯视布局图。

图3是沿着图1的III－III线的剖视图。

图4是图3的局部放大图。

图5是图3的局部放大图。

图6是图3的局部放大图。

图7是图3的局部放大图。

图8是图6的局部放大图。