[发明专利]半导体元件和半导体装置

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，具备：

元件主体，其具有朝向厚度方向的主面；以及

主面电极，其与上述元件主体导通，

上述主面电极具有：第一部，其设置在上述主面上；以及多个第二部，其与上述第一部相接地设置，并且在相对于上述厚度方向正交的方向上彼此远离，

沿着上述厚度方向观察，上述多个第二部的合计面积比包含与上述多个第二部重叠的部分的上述第一部的面积小。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

上述第一部的成分包含铜。

3.根据权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，

还具备基底层，该基底层介于上述主面与上述第一部之间，

上述基底层具有：阻挡层，其与上述主面相接；以及种层，其介于上述阻挡层与上述第一部之间，

上述种层的成分与上述第一部的成分相同。

4.根据权利要求2或3所述的半导体元件，其特征在于，

沿着上述厚度方向观察，上述多个第二部的合计面积相对于包含与上述多个第二部重叠的部分的上述第一部的面积的比例为20％以上50％以下。

5.根据权利要求4所述的半导体元件，其特征在于，

沿着上述厚度方向观察，上述主面电极的面积相对于上述主面的面积的比例为50％以上90％以下。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的半导体元件，其特征在于，

在上述元件主体构成有开关电路和与上述开关电路导通的控制电路，

沿着上述厚度方向观察，上述主面电极与上述开关电路重叠。

7.根据权利要求6所述的半导体元件，其特征在于，

还具备输入电极，该输入电极设置于上述主面并且与上述控制电路导通，上述输入电极与上述主面电极远离。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体元件，其特征在于，

上述多个第二部各自具有：第一层，其层叠于上述第一部；以及第二层，其层叠于上述第一层，

上述第一层及上述第二层各自的成分都包含金属元素，

上述第二层的成分中所含的金属元素与上述第一层的成分中所含的金属元素不同。

9.根据权利要求8所述的半导体元件，其特征在于，

上述第一层的成分包含镍。

10.根据权利要求9所述的半导体元件，其特征在于，

上述第二层的成分包含钯。

11.根据权利要求8所述的半导体元件，其特征在于，

上述多个第二部各自具有第三层，该第三层层叠于上述第二层，

上述第一层的成分包含铜，

上述第三层的成分包含与上述第一层的成分中所含的金属元素、以及上述第二层的成分中所含的金属元素都不相同的金属元素。

12.根据权利要求11所述的半导体元件，其特征在于，

上述第二层的成分包含镍。

13.根据权利要求12所述的半导体元件，其特征在于，

上述第三层的成分包含钯。

14.根据权利要求11至13中任一项所述的半导体元件，其特征在于，

上述多个第二部各自具有第四层，该第四层层叠于上述第三层，

上述第四层的成分包含与上述第一层的成分中所含的金属元素、上述第二层的成分中所含的金属元素、以及上述第三层的成分中所含的金属元素都不相同的金属元素。

15.根据权利要求14所述的半导体元件，其特征在于，

上述第四层的成分包含金。