[发明专利]包含与缩水甘油基酯化合物的反应生成物的抗蚀剂下层膜形成用组合物

权利要求书

1.下述式(1)所示的化合物，

在式(1)中，X为下述式(2)、式(3)或式(4)所示的2价有机基，n₁、n₂各自独立地表示1～10的整数；

在式(2)、式(3)和式(4)中，

R¹和R²各自独立地表示氢原子、可以被氧原子或硫原子中断的碳原子数1～10的烷基、可以被氧原子或硫原子中断的碳原子数2～10的烯基、可以被氧原子或硫原子中断的碳原子数2～10的炔基、苄基或苯基，所述苯基可以被选自碳原子数1～6的烷基、卤原子、原子数1～10的烷氧基、硝基、氰基和碳原子数1～6的烷硫基中的至少1个1价官能团取代；

R³表示氢原子、可以被氧原子或硫原子中断的碳原子数1～10的烷基、可以被氧原子或硫原子中断的碳原子数3～10的烯基、可以被氧原子或硫原子中断的碳原子数3～10的炔基、苄基或苯基，所述苯基可以被选自碳原子数1～6的烷基、卤原子、碳原子数1～10的烷氧基、硝基、氰基、碳原子数1～6的烷硫基和下述式(5)所示的有机基中的至少1个1价官能团取代；

在式(5)中，n₃表示1～10的整数。

2.根据权利要求1所述的化合物，在所述式(1)中，X由式(4)表示。

3.根据权利要求2所述的化合物，在所述式(1)中，n₁和n₂为1，R³由可以被氧原子中断的碳原子数1～5的烷基或式(5)表示。

4.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：

通过权利要求1～3中任一项所述的化合物、与环氧加成物形成用化合物的反应而获得的环氧加成生成物；以及

溶剂。

5.根据权利要求4所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述环氧加成物形成用化合物为选自含有羧酸的化合物、含有羧酸酐的化合物、含有羟基的化合物、含有硫醇基的化合物、含有氨基的化合物和含有酰亚胺基的化合物中的至少1种化合物。

6.根据权利要求4或5所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述环氧加成物形成用化合物为含有羧酸的化合物或含有硫醇基的化合物。

7.根据权利要求6所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述含有羧酸的化合物为包含至少1个以上硫原子的二羧酸。

8.根据权利要求7所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述包含至少1个以上硫原子的二羧酸为脂肪族二羧酸。

9.根据权利要求4～8中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含交联催化剂。

10.根据权利要求4～9中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含交联剂。

11.根据权利要求4～10中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含表面活性剂。

12.一种抗蚀剂下层膜，其特征在于，为由权利要求4～11中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物形成的涂布膜的烧成物。

13.一种进行了图案形成的基板的制造方法，其包含下述工序：在半导体基板上涂布权利要求4～11中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物进行烘烤而形成抗蚀剂下层膜的工序；在所述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂进行烘烤而形成抗蚀剂膜的工序；将被所述抗蚀剂下层膜和所述抗蚀剂被覆了的半导体基板曝光的工序；将曝光后的所述抗蚀剂膜显影，进行图案形成的工序。

14.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含下述工序：

在半导体基板上形成由权利要求4～11中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物形成的抗蚀剂下层膜的工序；

在所述抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂膜的工序；

通过对抗蚀剂膜照射光或电子射线然后显影而形成抗蚀剂图案的工序；

通过经由所形成的所述抗蚀剂图案对所述抗蚀剂下层膜进行蚀刻而形成被图案化了的抗蚀剂下层膜的工序；以及

通过被图案化了的所述抗蚀剂下层膜对半导体基板进行加工的工序。