[发明专利]铝合金膜、其制造方法以及薄膜晶体管

说明书

本发明的目的在于提供耐弯曲性以及耐热性优异的铝合金膜以及具有该铝合金膜的薄膜晶体管。为了达成上述目的，本发明的一种方式的铝合金膜，在Al纯金属中含有从Zr、Sc、Mo、Y、Nb以及Ti的组中选择的至少一种的第一添加元素。上述第一添加元素的含量在0.01原子％以上1.0原子％以下。若是这样的铝合金膜，则铝合金膜具有优异的耐弯曲性，具有优异的耐热性。另外，铝合金膜也能够蚀刻。

技术领域

本发明涉及一种铝合金膜、其制造方法以及具有铝合金膜的薄膜晶体管。

背景技术

在液晶显示元件、有机EL显示元件等薄膜晶体管(TFT)中，例如，使用Al配线作为低电阻配线材料。

但是，在配线中，因为一般在制造工序的途中形成栅极，所以在形成栅极后受到退火处理的热经历。因此，作为栅极的材料，多使用能够承受热经历的高熔点金属(例如Mo)(例如，参照对比文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-156482号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，在将Mo这种高熔点金属应用于具有曲面形状的屏幕的显示器或能够弯折的折叠式显示器的曲面部的电极的情况下，因为高熔点金属没有足够的耐弯曲性，所以电极有可能因为弯曲而断裂。

另外，在采用弯曲性优异的电极材料来代替高熔点金属的情况下，需要电极相对于热经历具有足够的耐性。

鉴于以上情况，本发明的目的在于，提供一种耐弯曲性以及耐热性优异的铝合金膜以及具有该铝合金膜的薄膜晶体管。

用于解决问题的手段

为了达成上述目的，本发明的一个方式的铝合金膜在Al纯金属中含有从Zr、Sc、Mo、Y、Nb以及Ti的组中选择的至少一种的第一添加元素。

上述第一添加元素的含量在0.01原子％以上1.0原子％以下。

若是这样的铝合金膜，则铝合金膜具有优异的耐弯曲性并具有优异的耐热性。另外，铝合金膜也能够蚀刻。

在上述铝合金膜中，还可以含有从Mn、Si、Cu、Ge、Mg、Ag以及Ni的组中选择的至少一种的第二添加元素，上述第二添加元素的含量在0.2原子％以上3.0原子％以下。

若是这样的铝合金膜，则铝合金膜具有优异的耐弯曲性，还具有优异的耐热性。另外，铝合金膜也能够蚀刻。

为了达成上述目的，本发明的一个方式的铝合金膜在Al纯金属中含有从Mn、Si、Cu、Ge、Mg、Ag以及Ni的组中选择的至少一种的第二添加元素。

上述第二添加元素的含量可以在0.2原子％以上3.0原子％以下。

若是这样的铝合金膜，则铝合金膜具有优异的耐弯曲性还具有优异的耐热性。另外，铝合金膜也能够蚀刻。

在上述铝合金膜中，还可以含有从Ce、Nd、La以及Gd的组中选择的至少一种的第三添加元素，上述第三添加元素的含量在0.1原子％以上1.0原子％以下。

若是这样的铝合金膜，则铝合金膜具有优异的耐弯曲性，由于第三添加元素在晶界析出而具有优异的耐热性。另外，铝合金膜也能够蚀刻。

在上述铝合金膜中，可以具有在以1mm的弯曲半径弯折的情况下能够承受的耐弯曲性。

在上述铝合金膜中，可以进行干蚀刻以及湿蚀刻。

在上述铝合金膜中，表面粗糙度P-V值可以在50nm以下。

在上述铝合金膜中，电阻率可以在10μΩ·cm以下。