[发明专利]具有埋入激光源的光子芯片

权利要求书

1.一种光子芯片，其基本上位于被称为“芯片平面”的平面中，所述光子芯片包括：

-衬底(30)，其具有平行于所述芯片平面的上表面和下表面(32、34)，所述衬底在所述上表面和下表面之间包括：

●载体(36)，其厚度大于50μm，所述载体是没有光学部件的，

●光学层(38；202)，其经由键合界面(40)键合至所述载体(36)，所述光学层从所述上表面到所述键合界面(40)依次包括：

-氧化物子层(90)，以及

-封装子层(122)，

●激光源(70；256)，其被埋入所述光学层(38；202)中，所述激光源包括波导(76；276)，所述波导被形成在氧化物子层(90)的面向所述键合界面(40)的一侧上，并且所述波导被封装在所述封装子层的介电材料中，所述波导包括嵌入在所述封装子层(122)中的第一电接触部(148A、148B、148C；264)，

其特征在于，所述光子芯片包括形成通孔(158A、158B、158C；266)的互连金属网，所述通孔在所述光学层(38；202)中从所述键合界面(40)延伸至所述波导的第一嵌入电接触部(148A、148B、148C；264)，所述互连金属网包括金属通孔(140)，所述金属通孔将主要平行于所述芯片平面延伸的金属线彼此电连接，这些金属线在所述光学层(38；202)内是彼此叠置的。

2.根据权利要求1所述的光子芯片，其中：

-所述波导(76；276)包括中心肋状件(142)，并且

-在垂直于所述芯片平面的方向上，所述第一嵌入电接触部(148C；264)位于中心肋状件的面向所述键合界面(40)的下表面之下，并且所述第一嵌入电接触部与所述下表面以0nm至500nm的距离间隔开。

3.根据权利要求2所述的光子芯片，其中：

-所述中心肋状件(142)的厚度小于300nm，并且

-所述第一嵌入电接触部(264)与所述中心肋状件直接机械地接触。

4.根据权利要求2所述的光子芯片，其中，所述第一嵌入电接触部(148C)与所述中心肋状件(142)的下表面以10nm至500nm的距离间隔开。

5.根据前述权利要求中任一项所述的光子芯片，其中：

-所述波导(76)包括中心肋状件(142)、至少一个侧凸起(144A、144B)以及将所述侧凸起连接至所述中心肋状件的至少一个边缘(146A、146B)，所述中心肋状件的厚度是所述边缘的厚度的至少两倍，并且

-所述第一嵌入电接触部(148A、148B)与所述侧凸起的下表面直接机械地接触，所述侧凸起的下表面面向所述键合界面(40)。

6.根据前述权利要求中任一项所述的光子芯片，其中，所述互连网的金属通孔(140)的最大直径小于3μm。