[发明专利]用于气相自由基的控制的多区气体注入

权利要求书

1.一种用于加工衬底的系统，其中该衬底是硅晶片，该系统包括：

喷头，该喷头至少具有主区、内区和外区，该喷头进一步包括多个注入器，这些注入器被配置为将多种气体注入到该系统的工艺空间中，该多个注入器包括至少一个主区注入器、至少一个内区注入器和至少一个外区注入器；

气相混合器，该气相混合器被配置为接收两种或更多种气体，该气相混合器被定位为在将这两种或更多种气体提供到该至少一个主区注入器之前混合这两种或更多种气体；

其中，该系统被配置为加工这两种或更多种气体并产生一种或更多种气相自由基，以在该衬底的整个径向区域上产生均匀密度的该一种或更多种气相自由基，

其中，该一种或更多种气相自由基包括原子氧(O)，

其中，所述两种或更多种气体包括氧气(O2)和氢气(H2)，

其中，该主区用于将包括O2和H2的气体组合提供到该工艺空间中，以及

其中，该内区和该外区将该原子氧提供到该衬底的边缘处以补偿该衬底的边缘处的原子氧损耗。

2.如权利要求1所述的系统，其中，这两种或更多种气体的加工以及该一种或更多种气相自由基的产生在该衬底的暴露于该一种或更多种气相自由基的表面上产生氧化硅膜。

3.如权利要求2所述的系统，进一步包括控制器，该控制器被配置为控制该系统的操作变量以便达到加工目标。

4.如权利要求2所述的系统，其中，该气相混合器与该喷头成一体。

5.如权利要求2所述的系统，其中，该气相混合器在这两种或更多种气体被提供到该喷头之前被定位。

6.如权利要求1所述的系统，其中，只有H2通过该内区和该外区被提供。

7.如权利要求1所述的系统，其中，该主区中的H2与O2的主区比率被调整成低于用于产生该原子氧的峰值产生比率。

8.如权利要求1所述的系统，其中，只有O2通过该内区和该外区被提供。

9.如权利要求1所述的系统，其中，该系统被配置为运转多个晶片。

10.如权利要求1所述的系统，其中，所述两种或更多种气体包括氨气(NH3)。

11.一种用于加工衬底的系统，其中该衬底是硅晶片，该系统包括：

喷头，该喷头至少具有主区、内区和外区，该喷头进一步包括多个注入器，这些注入器被配置为将多种气体注入到该系统的工艺空间中，该多个注入器包括至少一个主区注入器、至少一个内区注入器和至少一个外区注入器；

气相混合器，该气相混合器被配置为接收两种或更多种气体，该气相混合器被定位为在将这两种或更多种气体提供到该至少一个主区注入器之前混合这两种或更多种气体；

其中，该系统被配置为加工这两种或更多种气体并产生一种或更多种气相自由基，以在该衬底的整个径向区域上产生均匀密度的该一种或更多种气相自由基，

其中，该一种或更多种气相自由基包括原子氧(O)，

其中，所述两种或更多种气体包括氧气(O2)和氢气(H2)，

其中，该主区用于将包括O2和H2的气体组合提供到该工艺空间中，以及

其中，该主区中的H2与O2的主区比率被调整成低于用于产生该原子氧的峰值产生比率。