[发明专利]低温发光二极管在审
| 申请号: | 201980033919.1 | 申请日: | 2019-05-15 |
| 公开(公告)号: | CN112205089A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
| 发明(设计)人: | 阿拉什·纳瓦比 | 申请(专利权)人: | 阿贝亚技术有限责任公司 |
| 主分类号: | H05K3/34 | 分类号: | H05K3/34;B23K35/26;F25D3/10;H05K1/05;H05K1/18;H05K1/02 |
| 代理公司: | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人: | 阴亮 |
| 地址: | 美国密*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 低温 发光二极管 | ||
1.发光二极管,其包括:
金属芯印刷电路板(100),具有限定了第一平面(150)和与所述第一平面相对的第二平面(160)的外缘(140)、与所述第一平面相连的至少一发光元件(120)、以及与所述第一平面相连的至少一电线(130);以及
其中所述至少一电线中的每一电线通过不含锡的第二焊料与所述第一平面相连,并且所述至少一发光元件中的每一发光元件通过不含锡的第三焊料与所述第一平面相连。
2.如权利要求1所述的发光二极管,其还包括通过不含锡的第一焊料与所述第一平面相连的至少一电阻(110)。
3.如权利要求2所述的发光二极管,其中所述第一焊料由铟组成。
4.如权利要求2所述的发光二极管,其中所述第一焊料包含铟。
5.如权利要求2和4中任一权利要求所述的发光二极管,其中所述第一焊料包含铟和银。
6.如权利要求2、4和5中任一权利要求所述的发光二极管,其中银在所述第一焊料中的水平为0.1%重量比至10%重量比,铟在所述第一焊料中的水平为85%重量比至99.8%重量比,并且铟和银之和为所述第一焊料的100%重量比。
7.如权利要求2和4中任一权利要求所述的发光二极管,其中所述第一焊料包含铟和铅。
8.如权利要求2、4和7中任一权利要求所述的发光二极管,其中铅在所述第一焊料中的水平为40%重量比至50%重量比,铟在所述第一焊料中的水平为50%重量比至60%重量比,并且铟和铅之和为所述第一焊料的100%重量比。
9.如权利要求2和4中任一权利要求所述的发光二极管,其中所述第一焊料包含铟、银和铋。
10.如权利要求2、4和9中任一权利要求所述的发光二极管,其中铋在所述第一焊料中的水平为0.1%重量比至5%重量比,银在所述第一焊料中的水平为0.1%重量比至10%重量比,而铟在所述第一焊料中的水平为85%重量比至99.8%重量比,并且铋、铟和银之和为所述第一焊料的100%重量比。
11.如权利要求2和4中任一权利要求所述的发光二极管,其中所述第一焊料包含铟、银和镓。
12.如权利要求2、4和11中任一权利要求所述的发光二极管,其中镓在所述第一焊料中的水平为1%重量比至6%重量比,银在所述第一焊料中的水平为0.1%重量比至10%重量比,铟在所述第一焊料中的水平为85%重量比至99.8%重量比,并且镓、铟和银之和为所述第一焊料的100%重量比。
13.如权利要求1至12中任一权利要求所述的发光二极管,其中所述第二焊料由铟组成。
14.如权利要求1至12中任一权利要求所述的发光二极管,其中所述第二焊料包含铟。
15.如权利要求1至12和14中任一权利要求所述的发光二极管,其中所述第二焊料包含铟和银。
16.如权利要求1至12、14和15中任一权利要求所述的发光二极管,其中银在所述第二焊料中的水平为0.1%重量比至10%重量比,铟在所述第二焊料中的水平为85%重量比至99.8%重量比,并且铟和银之和为所述第二焊料的100%重量比。
17.如权利要求1至12和14中任一权利要求所述的发光二极管,其中所述第二焊料包含铟和铅。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿贝亚技术有限责任公司,未经阿贝亚技术有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980033919.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有一体化摄像头的多功能外后视镜
- 下一篇:使用图像数据进行流量测量





