[发明专利]电子物品、以及对电子物品的成膜方法

权利要求书

1.一种电子物品，其特征在于，包括：

基底构件；以及

被膜，形成于所述基底构件的表面，且

所述被膜包括粘合剂树脂的被膜溶液的煅烧硬化物，所述粘合剂树脂包含氟系树脂及陶瓷填料，

所述氟系树脂随着朝向所述被膜中与所述基底构件相反的一侧的表面而分布变多。

2.根据权利要求1所述的电子物品，其特征在于，相对于所述被膜溶液，所述陶瓷填料为1重量％以上且6重量％以下。

3.根据权利要求1或2所述的电子物品，其特征在于，所述基底构件的所述表面的表面粗糙度Ra大于0.3μm。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子物品，其特征在于，所述氟系树脂为选自由聚四氟乙烯(PTFE)、四氟乙烯·全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)、四氟乙烯·六氟丙烯共聚物(FEP)、乙烯·四氟乙烯共聚物(ETFE)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)及三氟氯乙烯·乙烯共聚物(ECTFE)所组成的群组中的至少一种树脂。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电子物品，其特征在于，所述粘合剂树脂是溶解于所述被膜溶液的溶剂中的树脂。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的电子物品，其特征在于，所述基底构件是构成近接传感器的框体。

7.一种成膜方法，其是对基底构件形成被膜的成膜方法，所述成膜方法的特征在于，包括：

涂布步骤，将包含氟系树脂及陶瓷填料的粘合剂树脂的被膜溶液涂布至所述基底构件的表面；以及

煅烧硬化步骤，将所述被膜溶液加热至自所述氟系树脂的熔点及所述粘合剂树脂的熔点中高的温度起至所述氟系树脂的分解温度及所述粘合剂树脂的分解温度中低的温度为止的范围内的温度来进行煅烧，将所述被膜溶液硬化。

8.根据权利要求7所述的成膜方法，其特征在于，包括：表面加工处理步骤，对所述基底构件以使表面粗糙度Ra成为0.3μm以上的方式进行表面加工处理。

9.根据权利要求7或8所述的成膜方法，其特征在于，相对于所述被膜溶液，所述陶瓷填料为1重量％以上且6重量％以下。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的成膜方法，其特征在于，所述氟系树脂为选自由聚四氟乙烯(PTFE)、四氟乙烯·全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)、四氟乙烯·六氟丙烯共聚物(FEP)、乙烯·四氟乙烯共聚物(ETFE)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)及三氟氯乙烯·乙烯共聚物(ECTFE)所组成的群组中的至少一种树脂。

11.根据权利要求7至10中任一项所述的成膜方法，其特征在于，所述粘合剂树脂是溶解于所述被膜溶液的溶剂中的树脂。

12.一种被膜，其为形成于基底构件的表面的被膜，所述被膜的特征在于：

所述被膜包括粘合剂树脂的被膜溶液的煅烧硬化物，所述粘合剂树脂包含氟系树脂及陶瓷填料，

所述氟系树脂随着朝向与所述基底构件相反的一侧的表面而分布变多。