[发明专利]在玻璃基材上形成薄膜晶体管的方法以及由此形成的液晶显示器

权利要求书

1.一种薄膜晶体管液晶显示器，其包括在上方的液晶显示层与下方的玻璃基材之间划界的多个图像像素，其中，每个图像像素包括设置在玻璃基材上方的专用顶栅薄膜晶体管，并且每个顶栅薄膜晶体管包括：

设置在玻璃基材上方的工艺敏感性半导体层；

设置在工艺敏感性半导体层上方的源电极和漏电极，其中，所述工艺敏感性半导体层在源电极与漏电极之间形成工艺敏感性半导体有源层；

设置在工艺敏感性半导体有源层上方的有源层保护膜；

设置在源电极与漏电极之间的有源层保护膜上方的栅极电介质层，其中，有源层保护膜被夹在工艺敏感性半导体有源层与栅极电介质层之间；以及

设置在栅极电介质层上方的栅电极。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器，其中，工艺敏感性半导体层由过渡金属二硫属化物(TMD)半导体材料和有机半导体材料中的至少一种形成。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器，其中，工艺敏感性半导体有源层是由选自MoS₂、WS₂和WSe₂中的至少一种的过渡金属二硫属化物(TMD)半导体材料形成的2D半导体有源层。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器，其中，工艺敏感性半导体有源层由有机半导体材料形成，所述有机半导体材料包括苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)、并五苯、咔唑化合物、酞菁和e-聚(偏二氟乙烯-六氟丙烯)(e-PVDF-HFP)中的至少一种。

5.如权利要求1-4中任一项所述的薄膜晶体管液晶显示器，其中，有源层保护膜包括SiNx、SiO₂、Al₂O₃、HfO₂或其组合。

6.如权利要求1-4中任一项所述的薄膜晶体管液晶显示器，其中，有源层保护膜包括厚度在约5nm至约20nm之间的Al₂O₃膜。

7.如权利要求1-6中任一项所述的薄膜晶体管液晶显示器，其中，栅极电介质层包括SiNx、SiO₂、Al₂O₃、HfO₂、聚酰亚胺化合物和聚(并四噻吩-二酮基吡咯并吡咯)(PTDPPTFT4)中的至少一种。

8.如权利要求1-7中任一项所述的薄膜晶体管液晶显示器，其中，源电极和漏电极包括Ti、Cu、Al和Mo。

9.一种用于液晶显示器的面板，其包括：

玻璃基材和设置在玻璃基材上方的多个顶栅薄膜晶体管，其中，所述多个顶栅薄膜晶体管中的每一者包括：

设置在玻璃基材上方的工艺敏感性半导体层；

设置在工艺敏感性半导体层上方的源电极和漏电极，其中，所述工艺敏感性半导体层在源电极与漏电极之间形成工艺敏感性半导体有源层；

设置在工艺敏感性半导体有源层上方的有源层保护膜；

设置在源电极与漏电极之间的有源层保护膜上方的栅极电介质层，其中，有源层保护膜被夹在工艺敏感性半导体有源层与栅极电介质层之间；以及

设置在栅极电介质层上方的栅电极。

10.如权利要求9所述的面板，其中，工艺敏感性半导体有源层由过渡金属二硫属化物(TMD)半导体材料和有机半导体材料中的至少一种形成。

11.如权利要求9所述的面板，其中，工艺敏感性半导体有源层是由过渡金属二硫属化物(TMD)半导体材料形成的2D半导体有源层，所述过渡金属二硫属化物(TMD)半导体材料包括MoS₂、WS₂和WSe₂中的至少一种。