[发明专利]形成成核抑制涂层的材料和并入其的装置

权利要求书

1.一种光电装置，其包含：

衬底；

设置在所述衬底上的第一电极；

设置在所述第一电极上的半导体层；

设置在所述半导体层上的第二电极，所述第二电极具有第一部分和第二部分；

设置在所述第二电极的所述第一部分上的成核抑制涂层；和

设置在所述第二电极的所述第二部分上的导电涂层；

其中：

所述成核抑制涂层包含式(I)化合物

其中X₁至X₁₀中的至少两个各自独立地选自(I-A)、(I-B)、(I-C)、(I-D)、(I-E)、(I-F)和(I-G)，并且其余的X₁至X₁₀各自独立地选自由以下组成的组：H、D(氘)、F、Cl、烷基、环烷基、硅烷基、氟烷基、芳烷基、芳基、杂芳基、烷氧基和氟烷氧基；

其中在(I-A)中，A₁、A₂、A₃、A₄和A₅独立地选自由以下组成的组：H、D(氘)、F、Cl、烷基、环烷基、硅烷基、氟烷基、芳烷基、芳基、杂芳基、烷氧基和氟烷氧基；

其中在(I-B)中，B₁、B₂、B₃、B₄、B₅、B₆、B₇和B₈中的至少一个表示与式I的连接，并且其余的B₁、B₂、B₃、B₄、B₅、B₆、B₇和B₈独立地选自由以下组成的组：H、D(氘)、F、Cl、烷基、环烷基、硅烷基、氟烷基、芳烷基、芳基、杂芳基、烷氧基和氟烷氧基；

其中在(I-C)中，C₁、C₂、C₃、C₄、C₅、C₆、C₇、C₈、C₉和C₁₀中的至少一个表示与式I的连接；并且其余的C₁、C₂、C₃、C₄、C₅、C₆、C₇、C₈、C₉和C₁₀独立地选自由以下组成的组：H、D(氘)、F、Cl、烷基、环烷基、硅烷基、氟烷基、芳烷基、芳基、杂芳基、烷氧基和氟烷氧基；

其中在(I-D)中，D₁、D₂、D₃、D₄、D₅、D₆、D₇、D₈、D₉和D₁₀中的至少一个表示与式I的连接，并且其余的D₁、D₂、D₃、D₄、D₅、D₆、D₇、D₈、D₉和D₁₀独立地选自由以下组成的组：H、D(氘)、F、Cl、烷基、环烷基、硅烷基、氟烷基、芳烷基、芳基、杂芳基、烷氧基和氟烷氧基；

其中在(I-E)中，E₁、E₂、E₃、E₄、E₅、E₆、E₇、E₈、E₉、E₁₀、E₁₁和E₁₂中的至少一个表示与式I的连接，并且其余的E₁、E₂、E₃、E₄、E₅、E₆、E₇、E₈、E₉、E₁₀、E₁₁和E₁₂独立地选自由以下组成的组：H、D(氘)、F、Cl、烷基、环烷基、硅烷基、氟烷基、芳烷基、芳基、杂芳基、烷氧基和氟烷氧基；

其中在(I-F)中，F₁、F₂、F₃、F₄、F₅、F₆、F₇、F₈、F₉和F₁₀中的至少一个表示与式I的连接，并且其余的F₁、F₂、F₃、F₄、F₅、F₆、F₇、F₈、F₉和F₁₀独立地选自由以下组成的组：H、D(氘)、F、Cl、烷基、环烷基、硅烷基、氟烷基、芳烷基、芳基、杂芳基、烷氧基和氟烷氧基；和

其中在(I-G)中，G₁、G₂、G₃、G₄、G₅、G₆、G₇、G₈、G₉、G₁₀、G₁₁和G₁₂中的至少一个表示与式I的连接，并且其余的G₁、G₂、G₃、G₄、G₅、G₆、G₇、G₈、G₉、G₁₀、G₁₁和G₁₂独立地选自由以下组成的组：H、D(氘)、F、Cl、烷基、环烷基、硅烷基、氟烷基、芳烷基、芳基、杂芳基、烷氧基和氟烷氧基。