[发明专利]用于使用经校准的修整剂量校正关键尺寸的方法

权利要求书

1.一种用于使基板图案化的方法，所述方法包括：

接收复合关键尺寸标识，所述复合关键尺寸标识表征已经通过特定光刻曝光工艺处理过的多个基板，所述特定光刻曝光工艺包括基于掩模的光刻曝光，所述复合关键尺寸标识是通过测量所述多个基板的关键尺寸并且识别在相应的坐标位置处重复的关键尺寸值来创建的；

接收要通过所述特定光刻曝光工艺处理的基板；

使用光致抗蚀剂膜涂覆所述基板；

将第一图案的光化辐射投射到所述光致抗蚀剂膜上，使用无掩模投射系统来投射所述第一图案的光化辐射，使用所述复合关键尺寸标识来创建所述第一图案的光化辐射；

转移所述基板以通过包括所述基于掩模的光刻曝光的所述特定光刻曝光工艺进行处理，所述基于掩模的光刻曝光是将第二图案的光化辐射投射到所述光致抗蚀剂膜上；

接收已经通过所述特定光刻曝光工艺处理之后的所述基板；以及

对所述基板进行显影，以去除所述光致抗蚀剂膜的由于所述第一图案的光化辐射以及所述第二图案的光化辐射而能够溶解的部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光致抗蚀剂膜包括：对第一光波长起反应的第一光反应剂；以及对第二光波长起反应的第二光反应剂。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，使用所述光致抗蚀剂膜涂覆所述基板包括：沉积包括所述第一光反应剂的第一光致抗蚀剂层；以及随后在所述第一光致抗蚀剂层上沉积第二光致抗蚀剂层，所述第二光致抗蚀剂层包括所述第二光反应剂。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，使用所述光致抗蚀剂膜涂覆所述基板包括沉积自分离的光致抗蚀剂混合物，其中，所述第二光反应剂迁移至所述光致抗蚀剂膜的上部，而所述第一光反应剂迁移至所述光致抗蚀剂膜的下部。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一光反应剂选自包括以下的组：光酸生成剂(PAG)、热酸生成剂(TAG)和光破坏性碱(PDB)，并且其中，所述第二光反应剂选自包括以下的组：光酸生成剂(PAG)、热酸生成剂(TAG)和光破坏性碱(PDB)。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，使用所述光致抗蚀剂膜涂覆所述基板包括在单个分配操作中沉积第一光致抗蚀剂和第二光致抗蚀剂的组合。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二图案的光化辐射需要预定曝光剂量以在所述光致抗蚀剂膜内创建潜在图案，并且其中，以所述第二图案的光化辐射的所述预定曝光剂量的0.1％至5％的曝光剂量投射所述第一图案的光化辐射。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，投射所述第一图案的光化辐射包括：计算用于在所述光致抗蚀剂膜内创建潜在图像的总曝光剂量；以及使用所述无掩模投射系统投射所述总曝光剂量的0.1％至7％，并且其中，所述基于掩模的光刻曝光使用所述总曝光剂量的剩余部分执行。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述复合关键尺寸标识识别已经跨所述多个基板重复的关键尺寸变化图案。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，投射所述第一图案的光化辐射包括：将相对较大剂量的光化辐射投射到被识别为具有过小尺寸特征的基板位置上；以及将相对较小剂量的光化辐射投射到被识别为具有过大尺寸特征的基板位置上。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，投射所述第一图案的光化辐射包括使用选自包括以下的组的光源：灯、离子激光器、固态激光器和受激准分子激光器。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，投射所述第一图案的光化辐射包括投射具有选自包括以下的组的波长的光化辐射：172nm、193nm、248nm、256nm、365nm、白光和红外，并且其中，所述特定光刻曝光工艺包括递送具有选择包括以下的组的波长的光化辐射：172nm、193nm、248nm、256nm、365nm、白光和红外。