[发明专利]自对准沟槽MOSFET的结构和方法

权利要求书

1.一种MOSFET器件，包括：

覆盖硅衬底的具有第一类型导电性的硅层，所述硅层具有前表面；

从所述前表面朝所述硅衬底正交地延伸的设置在所述前表面的有源区中的以交替方式形成的多个栅极沟槽和接触沟槽的阵列，每个栅极沟槽限定第一深度和第一宽度并且每个接触沟槽限定第二深度和第二宽度，并且其中所述第一深度和所述第一宽度分别大于所述第二深度和所述第二宽度，

其中，所述阵列中的所述多个栅极沟槽和接触沟槽自对准，以使得将所述阵列中的每个栅极沟槽和接触沟槽分开的测量距离始终相同，

其中，每个栅极沟槽包括所述第一类型导电性的导电结构，每个栅极沟槽中的所述导电结构通过绝缘层绝缘，并且其中每个接触沟槽形成在第一掺杂接触区内，所述第一掺杂接触区具有第二类型导电性，在所述相邻的栅极沟槽之间延伸，并且包括连接到源极电极的接触结构，其中所述第一掺杂接触区的深度小于所述第一深度且大于所述第二深度；

至少部分地位于所述第一掺杂接触区内并且在每个接触沟槽下方的所述第二类型导电性的第二掺杂接触区，所述第二掺杂接触区经由所述接触沟槽中的所述接触结构与所述源极电极电接触，其中所述第二掺杂接触区具有比所述第一掺杂接触区高的第二类型掺杂剂浓度，并且其中所述第二掺杂接触区被定位成与位于所述第二掺杂接触区两侧处的所述栅极沟槽距离相等；以及

位于每个栅极沟槽下方并且与所述第一掺杂接触区垂直分开的所述第二类型导电性的屏蔽区。

2.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其中，所述第一掺杂接触区和所述屏蔽区经由所述第二类型导电性的盆区电连接到所述源极电极。

3.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其中，所述导电结构包括第一导电结构和第二导电结构，其中所述第一导电结构通过电介质层与所述第二导电结构绝缘。

4.根据权利要求1所述的MOSFET器件，还包括位于所述第一掺杂接触区中并且邻近所述前表面的所述第一类型导电性的第三掺杂接触区，所述第三掺杂接触区与所述接触沟槽中的所述接触结构接触。

5.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其中，所述栅极沟槽中的所述导电结构是n+多晶硅。

6.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其中，所述前表面涂覆有电介质层。

7.根据权利要求6所述的MOSFET器件，其中，所述接触沟槽中的所述接触结构是所述电介质层上的导电缓冲层的整体部分。

8.根据权利要求7所述的MOSFET器件，其中，所述电介质层上的所述导电缓冲层包括Ti/TiN/W层。

9.根据权利要求7所述的MOSFET器件，其中，所述源极电极位于所述导电缓冲层上。

10.根据权利要求9所述的MOSFET器件，其中，所述源极电极包括Al:Cu:Si层、Al:Si层或Al:Cu层中的一种。