[发明专利]辐射发射器、发射装置及其制造方法和相关的显示屏在审
| 申请号: | 201980011916.8 | 申请日: | 2019-02-06 |
| 公开(公告)号: | CN111788691A | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
| 发明(设计)人: | W·S·谭;P·吕埃达·丰塞卡;P·吉莱 | 申请(专利权)人: | 艾利迪公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/06;H01L33/24;H01L33/00;H01L33/04;H01L33/18;H01L33/20;H01L33/32;H01L33/44;H01L33/50 |
| 代理公司: | 北京彩和律师事务所 11688 | 代理人: | 闫桑田 |
| 地址: | 法国格勒*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 辐射 发射器 发射 装置 及其 制造 方法 相关 显示屏 | ||
本发明涉及适于发射第一辐射的发射器(25),包括至少两个这种发射器的发射装置(15),和用于制造其的方法。所述发射器(25)包括:‑基板(55),‑由具有第一带隙值的第一半导体材料制成的台面(40),所述台面具有上表面(70)和侧面(75),‑覆盖层(45),包括由第二半导体材料制成的至少一个辐射发射层(85),所述第二半导体材料具有严格小于所述第一带隙值的第二带隙值,至少一个辐射发射层(85)具有对应于上表面(70)的第一部分(95)和对应于侧面(75)的第二部分(100),针对第一部分(95)定义了第一厚度(e1),以及针对第二部分(100)定义了第二厚度(e2),第二厚度(e2)严格小于第一厚度(e1)。
技术领域
本发明涉及一种发射器。本发明还涉及一种包括至少两个这种发射器的发射装置。本发明还涉及一种包括一组这种发射装置的显示屏。本发明同样涉及一种制造这种发射器的方法。
背景技术
发光结构包括一叠的叠置半导体层,该叠置半导体层被构造为形成一组单独的发光台面。通常通过蚀刻掉一叠二维层的一部分以定义所述发光台面来制造这种结构。由通常位于或靠近台面顶部的光发射层提供发光。
因为发光台面彼此分离,所以这样的结构允许容易地控制每个台面的发射,因为可以为每个台面独立地供电,从而减小了电流泄漏到相邻台面的风险。由于上述优点,已有人建议使用这种发光结构作为显示屏的一部分,如果该屏是单色屏则每个台面形成一个像素,或者如果该屏是多色屏则每个台面形成一个子像素。因此,这种显示屏的空间分辨率直接与台面的横向尺寸相关。
然而,台面的暴露的侧面导致载体的表面重组增加。因此,这种结构的整体发光效率(也称为“电光转换效率”)随着台面的横向尺寸而降低,因为减小的横向尺寸导致横向侧面的表面相对于光发射层的表面相对增加。结果,当屏幕分辨率提高时,尤其是当台面的横向尺寸为10微米(μm)或更小的级别时,基于台面的像素或显示屏的电光转换效率会降低。
因此,需要具有较小的横向尺寸并且具有高的电光转换效率的光发射器。
发明内容
为此,本发明涉及适于发射第一辐射的发射器,所述发射器包括:
-基板
-台面,所述台面由第一半导体材料制成,所述第一半导体材料具有第一带隙值,所述台面具有上表面和侧面,所述侧面围绕所述上表面并且在所述基板和所述上表面之间延伸,
-覆盖层,其包括一个或多个辐射发射层,至少一个辐射发射层由第二半导体材料制成,所述第二半导体材料具有第二带隙值,所述第二带隙值严格小于所述第一带隙值,每个辐射发射层具有对应于上表面的第一部分和对应于侧面的第二部分,针对第一部分定义了第一厚度,针对第二部分定义了第二厚度,所述第二厚度严格小于所述第一厚度。
根据特定的实施方案,所述发射器包括以下特征中的一个或多个,单独地或根据任何可能的组合具有这些特征:
-至少满足以下特性之一:
·第一部分至少部分覆盖所述台面的上表面,以及第二部分至少部分覆盖所述台面的侧面;
·第二部分形成至少一个量子阱,以及
·侧面包括多个平面。
-至少满足以下特性之一:
·基板由半导体材料制成,台面从基板沿着垂直于基板的第一方向延伸,并且电连接到基板,基板具有在垂直于第一方向的平面上围绕台面的主表面,基板还包括在主表面上延伸的电绝缘层,所述绝缘层在基板和覆盖层之间形成势垒,以及
·针对侧面的每个点,定义了与穿过该点并垂直于侧面的方向对应的轴线,并且其中垂直于基板的第一方向与所述轴线之间的角度为3-80度。
-至少满足以下特性之一:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





