[发明专利]用于嵌入式多管芯互连桥的电力输送方法及其组装方法

说明书

嵌入式多管芯互连桥（EMIB）管芯被配置有到EMIB管芯的中心的电力输送，并且电力被分配给跨EMIB管芯互连的两个管芯。

优先权申请

本申请要求保护2018年3月27日提交的、序列号为15/937411的美国申请的优先权利益，该申请通过引用以其整体被并入在本文中。

技术领域

本公开涉及用于半导体装置封装的嵌入式多管芯互连桥架构的电力输送。

背景技术

封装期间的半导体装置小型化包含允许管芯之间高速和小体积互连以及向管芯输送电力的挑战。

附图说明

在附图的图中，通过示例而非限制的方式图示了所公开的实施例，附图中相似的附图标记可指类似的元件，附图中：

图1是根据一实施例的嵌入式多管芯互连桥管芯的顶部平面图，其暴露了用于两个半导体装置之间互连的微通孔阵列；

图1A是根据一实施例的沿着剖面线1A-1A截取的图1中描绘的桥管芯的金属化的投影和横截面局部切割正视图；

图1B是根据一实施例的从图1中沿着剖面线1B-1B截取的桥管芯的金属化的投影和横截面局部切割正视图；

图2是根据一实施例的嵌入式多管芯互连桥封装的横截面切割和投影透视图；

图3是根据一实施例的互连桥管芯310的顶部平面图，其中多个电力域被缝合（stitch）到桥管芯中以服务于第一管芯和后续管芯；

图3A是根据一实施例的沿着剖面线3A-3A截取的图3中描绘的桥管芯的金属化的投影和横截面局部切割正视图；

图4是根据一实施例的互连桥管芯的顶部平面图，其中具有单个电力域的增强型EMIB电力输送架构被缝合到桥管芯中；

图4A是根据一实施例的沿着剖面线4A-4A截取的图4中描绘的桥管芯的金属化的投影和横截面局部切割正视图；

图5是根据一实施例的嵌入式多管芯互连桥封装的顶部平面图；

图6是根据一实施例的过程流程图；以及

图7被包含以示出用于所公开实施例的更高级装置应用的示例。

具体实施方式

一种嵌入式多管芯互连桥（EMIB）架构包含跨EMIB管芯互连的至少两个半导体装置。向互连半导体装置的电力输送通过向EMIB管芯的中心区域输送电力来实现，该中心区域可被称为“洪泛区（flood plain）”。通过EMIB管芯上的金属化向每个互连半导体装置分配的电力能通过洪泛区，并且它能通过引入到EMIB管芯的外围电力被补充。

根据若干实施例，存在于EMIB金属化中的电力和接地被输送到洪泛区，并且在若干金属化层内选择电流流道（current flow），以有效地影响感应回路问题以及电磁噪声问题。根据若干实施例，除了在EMIB管芯中心的洪泛区电力输送之外，在EMIB管芯的外围增加了补充电力。

在一实施例中，桥被部分地嵌入封装中。在一实施例中，桥不是嵌入式的，但是它具有在两个管芯之间桥接的配置。

图1是根据一实施例的嵌入式多管芯互连桥（EMIB）管芯110的顶部平面图100，其暴露了用于两个半导体装置之间互连的微通孔阵列。EMIB管芯110或“桥管芯”110包含互连表面112，在该互连表面上配置有若干微通孔阵列。在一实施例中，微通孔被量化为直径小于1毫米的通孔。在一实施例中，微通孔在从25微米（微米）到500微米的范围内被量化。