[发明专利]用于半导体元件的导电浆料及其制备方法和PERC太阳能电池有效

申请号：	201980001328.6	申请日：	2019-07-30
公开（公告）号：	CN112585765B	公开（公告）日：	2022-09-27
发明（设计）人：	刘小丽;徐诚;李德林	申请（专利权）人：	深圳市首骋新材料科技有限公司
主分类号：	H01L31/0224	分类号：	H01L31/0224
代理公司：	深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414	代理人：	张杨梅
地址：	518000 广东省深圳市龙华***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	用于半导体元件导电浆料及其制备方法 perc 太阳能电池
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【权利要求书】：

1.一种用于半导体元件的导电浆料，其特征在于，按照总重量为100份计，包括如下原料组分：

金属粉 80.0～93.0份；

有机载体 6.0～15.0份；

氧化物刻蚀剂 0.5～5.0份；

其中，所述氧化物刻蚀剂至少含有Fe₂O₃、SiO₂和Na₂O；

以所述氧化物刻蚀剂摩尔份为100计，所述氧化物刻蚀剂由以下组分组成：

其中，所述氧化物刻蚀剂中还含有添加元素的氧化物，其含量小于10.0％，所述添加元素的氧化物中添加元素为钛或铬中的一种或者两种。

2.如权利要求1所述的用于半导体元件的导电浆料，其特征在于，以氧化物刻蚀剂摩尔量为100％计，所述氧化物刻蚀剂包括以下组分：

PbO 10.0～25.0％；TeO₂ 15.0～35.0％；Li₂O 10.0～30.0％；SiO₂ 10.0～40.0％；B₂O₃0.1～6.0％；Bi₂O₃ 5.0～10.0％；ZnO 0.1～5.0％；WO₃ 2.0～10.0％；Fe₂O₃ 0.1～0.4％；Na₂O 0.1～10.0％。

3.如权利要求1所述的用于半导体元件的导电浆料，其特征在于，以氧化物刻蚀剂摩尔量为100％计，所述氧化物刻蚀剂包括以下组分：

PbO 10.0～25.0％；TeO₂ 15.0～35.0％；Li₂O 10.0～30.0％；SiO₂ 10.0～40.0％；B₂O₃0.1～6.0％；Bi₂O₃ 5.0～10.0％；ZnO 0.1～5.0％；WO₃ 2.0～10.0％；Fe₂O₃ 2.0～5.0％；Na₂O 0.1～10.0％。

4.如权利要求1所述的用于半导体元件的导电浆料，其特征在于，以氧化物刻蚀剂摩尔量为100％计，所述氧化物刻蚀剂包括以下组分：

PbO 10.0～25.0％；TeO₂ 15.0～35.0％；Li₂O 10.0～30.0％；SiO₂ 10.0～40.0％；B₂O₃0.1～6.0％；Bi₂O₃ 5.0～10.0％；ZnO 0.1～5.0％；WO₃ 2.0～10.0％；Fe₂O₃ 23～25％；Na₂O0.1～10.0％。

5.如权利要求1所述的用于半导体元件的导电浆料，其特征在于，以氧化物刻蚀剂摩尔量为100％计，所述氧化物刻蚀剂包括以下组分：

PbO 10.0～25.0％；TeO₂ 15.0～35.0％；Li₂O 10.0～30.0％；SiO₂ 10.0～40.0％；B₂O₃0.1～6.0％；Bi₂O₃ 5.0～10.0％；ZnO 0.1～5.0％；WO₃ 2.0～10.0％；Fe₂O₃ 2.0～5.0％；Na₂O 0.1～0.5％。

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